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公开(公告)号：CN115020594A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210738425.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电器件及其制备方法和应用，属于光电技术领域。制备方法包括如下步骤：在透明电极上制备空穴传输层，在空穴传输层上制备界面层，在界面层上制备钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制备电子传输层，在电子传输层上制备空穴阻挡层，在空穴阻挡层上沉积电极材料。本发明中在空穴传输层上优先制备界面层，再制备钙钛矿光吸收层。界面层调控了钙钛矿晶粒生长，改善了晶粒的形貌，晶粒无针孔且晶界空隙明显减少，提升了钙钛矿的成膜质量；晶界的减少改善了载流子的复合，降低了光电损失；同时，界面层的引入提高了表面能，使得钙钛矿前驱液可以在界面层表面更好地铺展，从而实现了钙钛矿光电器件的大面积制备。
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