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发明公开
一种叠层结构氧化物忆阻器及制备方法和电子计算机审中-实审

公开(公告)号：CN116723759A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310939502.X

申请日：2023-07-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蒋艳平 , 冯健豪 , 白粉蕓 , 朱建元 , 唐新桂 , 刘秋香 , 唐振华

IPC: H10N70/00 , H10N70/20 , H10B63/00

Abstract: 本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及一种叠层结构氧化物忆阻器及制备方法和电子计算机；本申请提供的叠层结构氧化物忆阻器包括三明治构型的第一氧化铪/掺杂5w％～10w％铪的氧化锌/第二氧化铪复合薄膜为阻变复合层，掺杂5w％～10w％铪的氧化锌的插入能够增大阻变复合薄膜内的氧空位浓度，促进导电细丝的形成，使忆阻器处于低电阻状态，形成较粗氧空位导电细丝的初始化电压仅为1.2V～1.6V，从而解决现有技术中过渡金属氧化物忆阻器存在的初始化电压较大，导致需要复杂的外围驱动电路的技术问题。

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