公开(公告)号：CN104220650A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380019173.1

申请日：2013-05-08

Applicant: 并木精密宝石株式会社

Inventor： 会田英雄 ,  西口健吾 ,  小山浩司 ,  池尻宪次朗 ,  中村元一

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/24

CPC classification number: C01G15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供能够提高发光效率的氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底；氧化镓单晶(13)的位错密度为3.5×106个/cm2以下；氧化镓单晶(13)是利用EFG法而制造；另外，EFG法的晶种接触温度为1930℃以上且1950℃以下；氧化镓单晶(13)的晶颈部(13a)的直径为0.8mm以下；氧化镓单晶衬底(21)由氧化镓单晶(13)构成。