公开(公告)号：CN105026625A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480007176.8

申请日：2014-02-06

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  池尻宪次朗 ,  金圣祐 ,  小山浩司 ,  武田秀俊 ,  植木笃

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 【课题】本发明提供无需复杂的工序便能够简单地以低成本且高成品率地制造由位错密度分布实质上均匀的GaN晶体构成的GaN衬底这一技术；【解决方法】对单晶衬底的内部照射激光而在单晶衬底的内部形成非晶质部分，接着，在单晶衬底的一面上形成GaN晶体，从而制造GaN衬底；所制造的GaN衬底的整个表面上的位错密度的分布呈实质上均匀；由相对于单晶衬底的平面方向呈直线状的多个图形形成非晶质部分，在各图形间的间距为0.5mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.10％或0.20％，在各图形间的间距为1.0mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.05％或0.10％。

公开(公告)号：CN105579624A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053428.0

申请日：2014-09-25

Applicant: 并木精密宝石株式会社

Inventor： 会田英雄 ,  小山浩司 ,  池尻宪次朗 ,  金圣祐

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27

CPC classification number: C30B25/18 ,  C23C16/01 ,  C23C16/274 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  C30B33/02

Abstract: 提供直径2英寸以上的大型的金刚石基板。此外，提供能够制造直径2英寸以上的大型的金刚石基板的金刚石基板的制造方法。准备基底基板，在该基底基板的单面上形成多个由金刚石单晶体构成的柱状金刚石，使金刚石单晶体从各柱状金刚石的末端生长，使从各柱状金刚石的末端生长出的各金刚石单晶体聚结而形成金刚石基板层，将金刚石基板层从基底基板分离，由金刚石基板层制造金刚石基板，由此，由金刚石单晶体形成金刚石基板，金刚石基板的平面方向的形状形成为圆形或者设置有定向平面的圆形，且直径为2英寸以上。

公开(公告)号：CN104220650A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380019173.1

申请日：2013-05-08

Applicant: 并木精密宝石株式会社

Inventor： 会田英雄 ,  西口健吾 ,  小山浩司 ,  池尻宪次朗 ,  中村元一

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/24

CPC classification number: C01G15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供能够提高发光效率的氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底；氧化镓单晶(13)的位错密度为3.5×106个/cm2以下；氧化镓单晶(13)是利用EFG法而制造；另外，EFG法的晶种接触温度为1930℃以上且1950℃以下；氧化镓单晶(13)的晶颈部(13a)的直径为0.8mm以下；氧化镓单晶衬底(21)由氧化镓单晶(13)构成。