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公开(公告)号：CN1678667A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820104.6
申请日：2003-09-04
Applicant: 帝人杜邦菲林日本株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2367/02 , H01H2209/002 , H01H2239/072 , H05K1/0326 , H05K1/0393 , Y10S428/91 , Y10T428/24355 , Y10T428/24917 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/266 , Y10T428/269 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供以聚2，6－萘二甲酸乙二酯为主要成分、处理性能、耐久性优异的薄膜开关用基材薄膜，特别是适合在有可能承受高温的汽车车内仪器中使用的薄膜开关用的薄膜。该薄膜包括：在制膜方向和宽度方向的至少一个方向中，两表面的折射率在1.770－1.790的范围，且两表面的折射率差的绝对值为0.015或以下；或者由差示扫描热量计(DSC)测定的熔融次峰温度为220℃或以上至250℃或以下，且一个表面的熔融次峰温度与另一表面的熔融次峰温度差的绝对值为6℃或以下的薄膜开关用薄膜。
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公开(公告)号：CN1771585A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009442.7
申请日：2004-04-06
Applicant: 帝人杜邦菲林日本株式会社
Inventor： 古谷幸治
IPC: H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: C09J7/255 , C09J2203/326
Abstract: 本发明提供半导体晶片加工用基膜，该基膜以聚2，6－萘二甲酸乙二醇酯为主要成分，具有在高温及高湿下优异的尺寸稳定性、平滑性、机械强度和优异的加工适性。该薄膜是以聚2，6－萘二甲酸乙二醇酯为主要成分而制成的双轴取向薄膜，含有具有如下特征的半导体晶片加工用基膜：在200℃热处理10分钟后的薄膜热收缩率在薄膜的制膜方向和宽度方向都为1.00％以下。
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公开(公告)号：CN1311010C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03820104.6
申请日：2003-09-04
Applicant: 帝人杜邦菲林日本株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2367/02 , H01H2209/002 , H01H2239/072 , H05K1/0326 , H05K1/0393 , Y10S428/91 , Y10T428/24355 , Y10T428/24917 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/266 , Y10T428/269 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供以聚2，6-萘二甲酸乙二酯为主要成分、处理性能、耐久性优异的薄膜开关用基材薄膜，特别是适合在有可能承受高温的汽车车内仪器中使用的薄膜开关用的薄膜。该薄膜包括：在制膜方向和宽度方向的至少一个方向中，两表面的折射率在1.770-1.790的范围，且两表面的折射率差的绝对值为0.015或以下；或者由差示扫描热量计(DSC)测定的熔融次峰温度为220℃或以上至250℃或以下，且一个表面的熔融次峰温度与另一表面的熔融次峰温度差的绝对值为6℃或以下的薄膜开关用薄膜。
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