-
公开(公告)号：CN119630111B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510158081.6
申请日：2025-02-13
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法，属于红外探测器领域；解决了目前Ⅱ类超晶格红外探测器的无机膜层通常含有较大的应力，易出现裂纹的问题；包括以下步骤：在外延层上沉积无机掩膜层；在无机掩膜层上方涂布光刻胶，显影形成图案化的光刻胶；在无机掩膜层上进行刻蚀形成通孔结构；在通孔结构的无机掩膜层上方形成台面图案化光刻胶；在通孔结构的无机掩膜层形成台面图形；刻蚀外延层，在通孔结构的无机掩膜层下方形成图案化的外延层；沉积无机钝化层；在台面上进行光刻开孔或刻蚀开孔，对通孔结构的无机掩膜层和无机钝化层进行刻蚀；本发明用于红外探测器的制备。
-
公开(公告)号：CN119630110B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510158078.4
申请日：2025-02-13
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Ⅱ类超晶格红外探测器的台面开孔刻蚀方法，属于红外探测器台面刻蚀技术领域；解决了现有Ⅱ类超晶格红外探测器制备工艺在台面开孔刻蚀存在的刻蚀速率低、刻蚀不干净、刻蚀时间长等问题；采用的技术方案为：沉积无机掩膜层之前在开孔位置涂上光刻胶，前期通过较短时间的干法刻蚀和清洗去胶结合的方式，提前在无机掩膜层内部形成开孔结构，在后续工艺中不需要对台面孔内进行干法刻蚀，进而避免由于孔内刻蚀速率较小或无机掩膜层较厚造成刻蚀时间较长而导致的一系列问题；本发明应用于Ⅱ类超晶格红外探测器制备。
-
公开(公告)号：CN118866926B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411330248.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种垂直一体化超晶格红外探测器的封装方法，属于红外探测器领域；解决了传统封装方法得到的红外探测器组件存在的信号传输可靠性低、集成度低的问题；包括以下步骤：取制备好读出电路的晶圆和外延片，将外延片与读出电路通过等离子体低温直接键合工艺，形成异质集成结构；其中外延片是通过在衬底上外延生长二类超晶格材料的外延层得到的；在外延片上通过湿法剥离工艺，完全去除衬底；采用ICP刻蚀工艺和金属化工艺，在外延片上形成焦平面阵列；将焦平面阵列上每个像素的金属电极通过通孔引到读出电路的对应电极区域，使焦平面阵列与读出电路直接相连，得到了红外探测器芯片；本发明应用于超晶格红外探测器封装。
-
公开(公告)号：CN119153543A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411666927.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种红外探测器高度集成封装结构及封装方法，其中一种红外探测器高度集成封装结构中包括固定套、引线杆和调节组件，在将引线杆安装至固定套上时，首先将固定套安装在预设位置，其次，将引线杆插接在固定套上的安装孔内，引线杆在初始状态时能够在安装孔内滑动，引线杆初始状态时设定为最短状态，根据焊盘与插针之间的距离需求，使用调节组件对引线杆的长度进行调整，使得引线杆的长度能够根据需求进行及时调整，进一步地，在引线杆的长度调整至合适长度后，再次根据实际需求调整引线杆在固定套上的位置，从而使得引线杆满足各种点位的需求。
-
公开(公告)号：CN117889965B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410296389.2
申请日：2024-03-15
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: G01J5/90 , G06F18/23213 , G06F18/27 , G06F18/211
Abstract: 本发明涉及电变量检测技术领域，具体涉及一种中短波双色红外探测器的性能测试方法。该方法包括：获取中短波双色红外探测器在不同时间段的中波电数据和短波电数据；确定对应时间段的中波电数据和短波电数据的关联系数；进而确定对应时间段的关联系数的异常程度；根据聚类得到的每个聚类簇中所有时间段的关联系数的异常程度的数值分布差异，确定聚类簇的特征指标，根据所有聚类簇的特征指标和每个聚类簇中关联系数的数量，确定中短波双色红外探测器的性能指标；根据性能指标的数值对中短波双色红外探测器进行性能测试，得到测试结果。本发明能够有效提升性能测试的准确性与客观性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117855339A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410249117.7
申请日：2024-03-05
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种完全去除衬底的超晶格红外探测器制备方法，属于红外探测器技术领域；解决了采用机械化学抛光红外探测器芯片存在的加工损伤影像成像效果的问题；包括以下步骤：首先生长具有蚀刻停止层的外延片，外延片包括自底向上生长的衬底层、蚀刻停止层、缓冲层、P型欧姆接触层、长波通道吸收区、M型势垒层、N型欧姆接触层和N型盖层，其中衬底层与蚀刻停止层之间的蚀刻选择比的范围为50：1‑100：1；制备红外探测器芯片；红外探测器芯片完全去除衬底工艺由机械化学研磨抛光和ICP干法刻蚀两个过程完成；通过机械化学研磨抛光将衬底层的厚度减薄至50μm，再使用ICP干法刻蚀去除剩余衬底；本发明应用于红外探测器衬底去除。
-
公开(公告)号：CN116666405B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310947797.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: H01L27/144 , G01R31/52 , G01J5/90 , C23C14/14 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种用于测试表面漏电流的器件结构及其制备方法和测试方法。对红外材料的特定区域进行蚀刻，蚀刻深度达到下接触层；在下接触层的表面以及凸台外延层结构的侧壁表面沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积第二绝缘层；以及在第二绝缘层上沉积第二金属层。根据本发明实施例的用于测试红外焦平面探测器表面漏电流的器件结构及其制备方法以及用于测试红外焦平面探测器表面漏电流的测试方法，可以直接测试像元面阵中每一行的表面漏电流，无需借助辅助单元加以模拟表征，提高了表面漏电流测试的准确性和便利性。
-
公开(公告)号：CN118091684B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410365636.X
申请日：2024-03-28
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于物体运动状态分析的激光测距方法及系统，涉及激光测距技术领域，包括：获取被测物体的位置数据，对每个数据粒子进行状态估计并计算数据权重，对数据粒子进行重采样，得到第二数据粒子集合，对于每个粒子，计算每个粒子的似然度，对粒子进行筛选得到可信粒子，判断被测物体的运动状态；若被测物体是静止的，则初始化差频测相算法中滤波器参数和递归最小二乘法参数，确定差频信号，通过滤波器进行滤波，计算估计误差并基于估计误差得到测量结果；若被测物体是运动的，获取发送端和接收端的径向速度，计算发送端与接收端时钟的多普勒频移，确定速度估计值，结合预设的动态测距误差补偿公式，得到测量结果。
-
公开(公告)号：CN118016738B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410427973.7
申请日：2024-04-10
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构及其制备方法，属于超晶格红外探测器焦平面芯片技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种超晶格红外探测器焦平面芯片结构及其制备方法的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：包括由GaSb材料制备的衬底，在衬底上依次生长有p型缓冲层、p型接触层和p型吸收层；在p型吸收层上还生长有M型势垒层，在M型势垒层上还生长有n型接触层；所述n型接触层上还生长有n型盖层；本发明应用于超晶格红外探测器。
-
公开(公告)号：CN116799748B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311083001.2
申请日：2023-08-28
Applicant: 山西创芯光电科技有限公司
IPC: H02H7/00
Abstract: 本发明公开了一种像增强器夜视全彩光照度自动保护电路，涉及光电检测技术领域，包括像增强器、保护电路和控制电路，保护电路包括第一电位器、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第一连接端、第二连接端，所述第一电位器一端和第二连接端连接，第一电位器另一端、第一电位器抽头端、第二电阻一端和第一三极管基极连接，第一三极管集电极和第一连接端、第四电阻连接，第一连接端和像增强器连接，第一三极管发射极和第三电阻一端连接，第二电阻另一端、第三电阻另一端和接地端连接。本发明具备全局限制，在此限制基础上可以仅对超出一定光照强度的阈值部分进行单独限制，使用过程中不进行切断。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.039 seconds)
