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公开(公告)号：CN117330215A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311417581.4
申请日：2023-10-30
Applicant: 山东省科学院海洋仪器仪表研究所
IPC: G01L1/20
Abstract: 本发明公开了一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法，压力传感器芯片包括单晶金刚石基片，所述基片上表面刻蚀有4个凹槽，每个凹槽内均沉积有硼掺杂金刚石薄膜作为桥电阻，4个桥电阻通过金属电极联通形成惠斯通电桥结构，所述基片背面通过刻蚀形成应力杯。本发明从结构仿真设计、金刚石薄膜生长、电桥设计、电极生长、芯体封装全过程进行相关研制，并最终完成形成高稳定性、高灵敏度的金刚石压阻传感器制备。在全金刚石结构的条件下，可以克服硅基半导体的本征激发温度低，材料强度差的缺点，有利于提高器件的测量范围和应用范围。
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