-
公开(公告)号：CN111738445B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202010451852.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 山东大学
IPC: G06N5/022 , G06N5/04 , G06F40/30 , G06F40/279
Abstract: 本发明公开了一种支持产品快速创新的设计知识融合推理方法，包括如下步骤：面向产品创新设计的知识半自动抽取，实现设计知识统一结构化表示；支持产品快速创新设计的知识语义关联计算，综合评价生成的潜在语义空间；支持产品快速创新设计的知识混合融合推理。本发明所公开的融合推理方法能够帮助设计者在产品设计的早期阶段快速发现问题本质，准确定义创新性问题和冲突；为设计者提供知识智力支持、拓展创新思路以及提供创新向导，有利于设计者尽可能多地发现可能的创新设计方案，快速开发创新产品；对提高产品知识技术含量和创新力、缩短产品研发周期、预测产品未来发展趋势和显著增强产品竞争力等起到重要作用。
-
公开(公告)号：CN111769129B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010692997.7
申请日：2020-07-17
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照粒子探测器，具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P‑N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路。深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理。N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管。
-
公开(公告)号：CN111769130A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010693043.8
申请日：2020-07-17
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明公开了一种CMOS像素传感器，包括P型衬底、P型高阻外延层、N阱、P阱、深N阱和深P隔离层；其中，深N阱和P型高阻外延层形成P-N二极管；深N阱上的N阱和N型有源区构成通路，通过金属线连接其他读出电路；深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，深P隔离层内的N阱和P型有源区用于制作PMOS晶体管，深P隔离层内的P阱和N型有源区用于制作NMOS管。
-
公开(公告)号：CN111769128A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010663478.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/32 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了X射线直接探测图像传感器、其像素单元及制备方法，包括：P型衬底；所述P型衬底上设有P型外延层；所述P型外延层用于直接接收X射线；所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；N阱与P型外延层形成一个二极管，用于收集非平衡电子；所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111769128B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010663478.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/32 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了X射线直接探测图像传感器、其像素单元及制备方法，包括：P型衬底；所述P型衬底上设有P型外延层；所述P型外延层用于直接接收X射线；所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；N阱与P型外延层形成一个二极管，用于收集非平衡电子；所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区。
-
公开(公告)号：CN111738445A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010451852.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 山东大学
IPC: G06N5/02 , G06N5/04 , G06F40/30 , G06F40/279
Abstract: 本发明公开了一种支持产品快速创新的设计知识融合推理方法，包括如下步骤：面向产品创新设计的知识半自动抽取，实现设计知识统一结构化表示；支持产品快速创新设计的知识语义关联计算，综合评价生成的潜在语义空间；支持产品快速创新设计的知识混合融合推理。本发明所公开的融合推理方法能够帮助设计者在产品设计的早期阶段快速发现问题本质，准确定义创新性问题和冲突；为设计者提供知识智力支持、拓展创新思路以及提供创新向导，有利于设计者尽可能多地发现可能的创新设计方案，快速开发创新产品；对提高产品知识技术含量和创新力、缩短产品研发周期、预测产品未来发展趋势和显著增强产品竞争力等起到重要作用。
-
公开(公告)号：CN111769130B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010693043.8
申请日：2020-07-17
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明公开了一种CMOS像素传感器，包括P型衬底、P型高阻外延层、N阱、P阱、深N阱和深P隔离层；其中，深N阱和P型高阻外延层形成P‑N二极管；深N阱上的N阱和N型有源区构成通路，通过金属线连接其他读出电路；深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，深P隔离层内的N阱和P型有源区用于制作PMOS晶体管，深P隔离层内的P阱和N型有源区用于制作NMOS管。
-
公开(公告)号：CN111769129A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010692997.7
申请日：2020-07-17
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照粒子探测器，具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P-N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路。深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理。N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管。
-
公开(公告)号：CN212303667U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021359422.5
申请日：2020-07-10
Applicant: 山东大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/32
Abstract: 本实用新型公开了图像传感器及其像素单元，包括：P型衬底；所述P型衬底上设有P型外延层；所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区；所述第一P阱与N阱连接，所述N阱与第二P阱连接；所述P型外延层的厚度为15微米至30微米。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.016 seconds)
