公开(公告)号：CN101320749B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810125405.2

申请日：2008-06-05

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 上田靖彦 ,  藤本紘行

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4236

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，可将加工沟槽时产生的飞边有效去除的同时使沟槽的形状最佳化，并不会产生寄生沟道、泄漏电流。在这种半导体装置中，沟槽(11)使位于活性区域(K)侧、并与开口部(11a)连接的一对第2内壁(11c)的截面轮廓线形成为大致直线状，具有以下工序：第1飞边去除工序，通过氢烘烤处理去除或减少飞边(11e)；保护膜形成工序，通过氧化处理在沟槽(11)的表面形成保护膜(14)；和第2飞边去除工序，对形成了保护膜(14)的沟槽(11)的表面进行氢烘烤，使第2内壁(11c)的截面轮廓线保持大致直线状，同时进一步去除或减少残存的飞边(11e)。

公开(公告)号：CN101320749A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810125405.2

申请日：2008-06-05

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 上田靖彦 ,  藤本紘行

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4236

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，可将加工沟槽时产生的飞边有效去除的同时使沟槽的形状最佳化，并不会产生寄生沟道、泄漏电流。在这种半导体装置中，沟槽(11)使位于活性区域(K)侧、并与开口部(11a)连接的一对第2内壁(11c)的截面轮廓线形成为大致直线状，具有以下工序：第1飞边去除工序，通过氢烘烤处理去除或减少飞边(11e)；保护膜形成工序，通过氧化处理在沟槽(11)的表面形成保护膜(14)；和第2飞边去除工序，对形成了保护膜(14)的沟槽(11)的表面进行氢烘烤，使第2内壁(11c)的截面轮廓线保持大致直线状，同时进一步去除或减少残存的飞边(11e)。