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发明授权
具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1213463C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02107438.0

申请日：2002-03-15

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小野泰弘 , 篠原壮太

IPC: H01L21/3213 , H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/427 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76802

Abstract: 一种半导体器件的制造方法包含下列步骤。首先，依次在Si衬底上形成Ru或RuO2膜和SiO2层。然后，在SiO2层上形成抗蚀剂图形，并将其作为掩模来蚀刻SiO2层以形成接触孔。在接触孔的底部暴露Ru或RuO2膜。接着，利用通过混合O2与N2制备的灰化气体，在200℃或更高的衬底温度下进行等离子灰化，用于灰化抗蚀剂图形，灰化气体中N2的组分比为50%或更高。结果，本发明可以在高选择率下灰化Ru或RuO2膜上的抗蚀剂图形，以防止Ru或RuO2膜消失。

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