公开(公告)号：CN100382316C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410083414.1

申请日：2004-10-08

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 田桑哲也

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4933

Abstract: 一种半导体器件具有双栅电极结构。该栅电极具有包括掺杂多晶硅膜、WSi2膜、WN膜和W膜的层结构。形成在P沟道区域中的多晶硅膜上的WSi2膜形成有多个彼此隔开的WSi2微粒，从而防止了掺杂在多晶硅膜中的杂质的双边扩散。

公开(公告)号：CN1610115A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410083414.1

申请日：2004-10-08

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 田桑哲也

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4933

Abstract: 一种半导体器件具有双栅电极结构。该栅电极具有包括掺杂多晶硅膜、WSi2膜、WN膜和W膜的层结构。形成在P沟道区域中的多晶硅膜上的WSi2膜形成有多个彼此隔开的WSi2微粒，从而防止了掺杂在多晶硅膜中的杂质的双边扩散。