公开(公告)号：CN1741264A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092296.5

申请日：2005-08-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 田中克彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76876

Abstract: 通过如下步骤来实现制造半导体器件的方法。在置于室中的半导体基片的导电部分上形成层间绝缘膜；形成接触孔以通过层间绝缘膜到达导电部分；形成阻挡金属层以覆盖接触孔的侧壁部分的底部；从含氟的材料气体中形成钨层，并且通过后净化工艺从钨层中去除氟，形成的钨层填充其中已形成了阻挡金属层的接触孔。

公开(公告)号：CN100424851C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200510092296.5

申请日：2005-08-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 田中克彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76876

Abstract: 通过如下步骤来实现制造半导体器件的方法。在置于室中的半导体基片的导电部分上形成层间绝缘膜；形成接触孔以通过层间绝缘膜到达导电部分；形成阻挡金属层以覆盖接触孔的侧壁部分的底部；从含氟的材料气体中形成钨层，并且通过后净化工艺从钨层中去除氟，形成的钨层填充其中已形成了阻挡金属层的接触孔。