公开(公告)号：CN101000912A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710002317.9

申请日：2007-01-11

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 横井直树

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明的半导体存储器件具有以下构造，其中，使用多个存储单元、位线和字线，该多个存储单元分别地包括连接至用于累积数据的存储元件的晶体管，该位线和字线用于指定多个存储单元之一。在和衬底正面垂直的方向形成以下结构，其中源电极和漏电极夹持有源区。将同一条所述位线连接至在预定方向相邻形成的第一两存储单元元件。形成同一条所述字线，该字线为第二两存储单元元件的所述晶体管的栅电极，其中所述的第二两存储单元元件包括所述第一两存储单元中的一个存储单元并且其是在所述预定方向相邻形成的。