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公开(公告)号：CN1913120A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610107570.6
申请日：2006-07-26
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 山本裕久
IPC: H01L21/76 , H01L21/306 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/76235 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中涉及角部被弄圆，开口部被扩大了的沟槽的制造方法。采用使用了二氯乙烯(DCE)的卤氧化法来实施各向异性氧化，形成了沟槽的肩部的膜厚厚，随着达到底部，膜厚逐渐变薄的各向异性氧化膜之后，除去该各向异性氧化膜，使沟槽的肩部优先后退，由此充分弄圆沟槽的肩部，扩大开口部。其次，在沟槽内埋入绝缘体。还有，沟槽肩部的被弄圆了的部分的近旁也作为MOS晶体管的沟道来利用。
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