公开(公告)号：CN1649113A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005890.6

申请日：2005-01-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小此木坚祐 ,  大汤静宪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/10873 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/10811 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造半导体器件中的MOS晶体管的方法，包括下述步骤：通过利用多步骤注入和相关的多步骤热处理将掺杂剂注入到沟道层或源极/漏极区中，其中所述多步骤注入包括多个注入步骤，每个注入步骤以低于1×1013/cm2的剂量注入掺杂剂，多步骤注入的总剂量的范围在1×1013/cm2与3×1013/cm2之间。

公开(公告)号：CN100339963C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200510005890.6

申请日：2005-01-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小此木坚祐 ,  大汤静宪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/10873 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/10811 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造半导体器件中的MOS晶体管的方法，包括下述步骤：通过利用多步骤注入和相关的多步骤热处理将掺杂剂注入到沟道层或源极/漏极区中，其中所述多步骤注入包括多个注入步骤，每个注入步骤以低于1×1013/cm2的剂量注入掺杂剂，多步骤注入的总剂量的范围在1×1013/cm2与3×1013/cm2之间。

公开(公告)号：CN100502033C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610054736.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  滨田耕治 ,  小此木坚祐 ,  三宅秀治 ,  神月靖 ,  渡边正晴

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。

公开(公告)号：CN1832196A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610054736.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  滨田耕治 ,  小此木坚祐 ,  三宅秀治 ,  神月靖 ,  渡边正晴

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。

公开(公告)号：CN100583399C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200510059525.3

申请日：2005-03-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  小此木坚祐 ,  小林宏尚 ,  滨田耕治

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/304

Abstract: 在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。

公开(公告)号：CN1674238A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059525.3

申请日：2005-03-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  小此木坚祐 ,  小林宏尚 ,  滨田耕治

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/304

Abstract: 在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。