公开(公告)号：CN102800694A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210167176.7

申请日：2012-05-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 三笠典章

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855

Abstract: 半导体器件及形成该半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一栅沟槽，所述第一栅沟槽具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一扩散区，位于所述第一栅沟槽下方；第二扩散区，位于所述半导体衬底中，所述第二扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第一侧的上部部分；以及第三扩散区，位于所述半导体衬底中。所述第三扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所述第二侧。所述第三扩散区连接至所述第一扩散区。所述第三扩散区具有比所述第一栅沟槽的底部深的底部。所述第三扩散区的底部在水平高度上不同于所述第一扩散区的底部。

公开(公告)号：CN102201410A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110075976.1

申请日：2011-03-24

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 三笠典章

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括但不限于：半导体衬底；位线；和接触部分。半导体衬底具有第一沟槽，所述第一沟槽至少具有相互面对的第一和第二侧表面。位线位于第一沟槽中。位线与半导体衬底绝缘。接触部分位于第一沟槽中。接触部分电连接到位线。接触部分接触第一沟槽的第一侧表面。接触部分与第一沟槽的第二侧表面绝缘。

公开(公告)号：CN102201410B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110075976.1

申请日：2011-03-24

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 三笠典章

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括但不限于：半导体衬底；位线；和接触部分。半导体衬底具有第一沟槽，所述第一沟槽至少具有相互面对的第一和第二侧表面。位线位于第一沟槽中。位线与半导体衬底绝缘。接触部分位于第一沟槽中。接触部分电连接到位线。接触部分接触第一沟槽的第一侧表面。接触部分与第一沟槽的第二侧表面绝缘。

公开(公告)号：CN102479803A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110384575.4

申请日：2011-11-28

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 三笠典章

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件，其包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽具有彼此面对的第一和第二侧壁。第一栅极绝缘膜覆盖所述第一和第二侧壁。第一栅极电极被设置在所述第一栅极绝缘膜上且在所述第一栅极凹槽的下部中。第一掩埋绝缘膜掩埋所述第一栅极凹槽，并且覆盖所述第一栅极电极。第一扩散区与所述第一栅极绝缘膜的第一上部相邻。所述第一上部在所述第一栅极凹槽的所述第一侧壁的上部上。第二扩散区与所述第一栅极凹槽的整个所述第二侧壁的部分相接触。