Patent search ap:("尔必达存储器株式会社") AND inv:"三根浩二" Page 1

1.

发明授权
半导体存储器失效转让

公开(公告)号：CN100392761C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN99105864.X

申请日：1999-04-23

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 延时知子 , 三根浩二

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C8/10 , G11C5/025 , G11C5/063

Abstract: 本发明的多个存储单元阵列、地址缓冲器、地址译码器，放大器，启动电路和输出电路分别形成在同一半导体芯片上；连接在远离所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度短于连接在靠近所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度。

Patent Agency Ranking