公开(公告)号：CN1661400A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510008950.X

申请日：2005-02-25

Applicant: 富士通株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 星野雅孝 ,  佐藤知稔

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/10 ,  H01L27/00

CPC classification number: H04Q11/0005 ,  H01L2224/16225 ,  H04Q2011/0058

Abstract: 一种光电集成电路装置，包括：光开关(18)，设置在衬底(10)上的第一输入/输出端口(36a)的输入端口(12a)中，转换从输入端口(12a)输入的光信号的光路径，并且通过多个输出端(24a－24d)之一输出光信号；光电转换元件(26a)，光连接至该光开关(18)的多个输出端之一，将从光开关(18)的输出端(24a－24d)之一输出的光信号转换为电信号，并将转换的电信号输入至安装在衬底(10)上的半导体元件(30)内；以及光波导(50)，光连接至光开关(18)的多个输出端(24d)中的另一个，并且通过衬底(10)上的第二输入/输出端口(36b)的输出端口(32b)将从光开关(18)的所述另一输出端(24d)输出的光信号输出。

公开(公告)号：CN100410706C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510008950.X

申请日：2005-02-25

Applicant: 富士通株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 星野雅孝 ,  佐藤知稔

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/10 ,  H01L27/00

CPC classification number: H04Q11/0005 ,  H01L2224/16225 ,  H04Q2011/0058

Abstract: 一种光电集成电路装置，包括：光开关(18)，设置在衬底(10)上的第一输入/输出端口(36a)的输入端口(12a)中，转换从输入端口(12a)输入的光信号的光路径，并且通过多个输出端(24a-24d)之一输出光信号；光电转换元件(26a)，光连接至该光开关(18)的多个输出端之一，将从光开关(18)的输出端(24a-24d)之一输出的光信号转换为电信号，并将转换的电信号输入至安装在衬底(10)上的半导体元件(30)内；以及光波导(50)，光连接至光开关(18)的多个输出端(24d)中的另一个，并且通过衬底(10)上的第二输入/输出端口(36b)的输出端口(32b)将从光开关(18)的所述另一输出端(24d)输出的光信号输出。

公开(公告)号：CN100382247C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510084655.2

申请日：2005-07-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 梅本光雄 ,  星野雅孝 ,  寺尾博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置的制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在对应焊盘电极11的位置形成贯通半导体衬底10的通孔16。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面上形成绝缘膜17。然后，在半导体衬底10的背面上，形成在通孔16的开口部的边缘具有悬空部18a的加强用绝缘膜18。然后，以该加强用绝缘膜18为掩模，使通孔16的侧壁的绝缘膜17留下，同时蚀刻除去该底部的绝缘膜17。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面，形成贯通电极21、布线层22、及导电端子24。最后，通过切割把半导体衬底10切断分离为半导体芯片10A。

公开(公告)号：CN1658387A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009366.6

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄 ,  高桥健司 ,  寺尾博 ,  星野雅孝

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。

公开(公告)号：CN100382304C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510009366.6

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄 ,  高桥健司 ,  寺尾博 ,  星野雅孝

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。

公开(公告)号：CN1722370A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084655.2

申请日：2005-07-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  富士通株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 梅本光雄 ,  星野雅孝 ,  寺尾博

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置的制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在对应焊盘电极11的位置形成贯通半导体衬底10的通孔16。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面上形成绝缘膜17。然后，在半导体衬底10的背面上，形成在通孔16的开口部的边缘具有悬空部18a的加强用绝缘膜18。然后，以该加强用绝缘膜18为掩模，使通孔16的侧壁的绝缘膜17留下，同时蚀刻除去该底部的绝缘膜17。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面，形成贯通电极21、布线层22、及导电端子24。最后，通过切割把半导体衬底10切断分离为半导体芯片10A。