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公开(公告)号：CN1331740C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410083147.8
申请日：2004-09-30
CPC classification number: G11B5/70605 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01F1/0081 , Y10S977/743 , Y10S977/744 , Y10T428/13 , Y10T428/268 , Y10T428/2918 , Y10T428/292 , Y10T428/294 , Y10T428/2975 , Y10T428/2991
Abstract: 一种碳纳米管复合材料，包括碳纳米管和覆盖在碳纳米管内表面的金属连续层，其中所述碳纳米管的一端封闭。它是通过下述过程来制备的：形成金属基体层和处理金属基体层以在金属基体层中形成多个纳米孔而形成纳米孔结构，所述纳米孔在基本垂直于金属基体层的方向上延伸；在纳米孔内形成碳纳米管；和用金属连续层覆盖碳纳米管内表面。它具有控制良好的小尺寸，具有优良、均衡的物理特性，可以抵抗金属随时间的氧化，其化学稳定性高，具有良好的耐用性，可重复使用，具有良好的可涂覆性、对其他材料的高润湿性和可分散性，容易进行化学改性，易处理，可用于多个领域。
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公开(公告)号：CN103888000B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310594116.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H02M7/06 , H02M1/4225 , H02M3/1584 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 公开了一种电源装置，该电源装置包括：第一串联电路，连接在第一输出端子与第二输出端子之间并且包括第一开关元件和第一整流元件；第二串联电路，连接在第一输出端子与第二输出端子之间并且包括第二开关元件和第二整流元件；第三开关元件，插入在第一电感器和第一输入端子间的连接点与第二输出端子之间；第四开关元件，插入在第二电感器和第二输入端子间的连接点与第二输出端子之间；控制电路，配置成控制第一开关元件和第二开关元件；以及同步整流控制电路，配置成控制第三开关元件和第四开关元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100395821C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510059481.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
Abstract: 一种纳米孔结构，包括：金属矩阵；以及纳米孔，规则排列在该金属矩阵中，其中，所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔，以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质，包括：衬底；以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔，每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸，其中包含至少一种磁性材料，并且该多孔层为上述纳米孔结构。
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公开(公告)号：CN101221773A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810001530.2
申请日：2008-01-04
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供了磁记录介质及其制造方法，其中，该方法能够高精度转印能够用作用于形成阳极化氧化铝纳米孔的源的图案并且实现高生产能力；该大容量磁记录介质能够实现高密度记录。所述方法包括：在形成在模子的表面上的凹凸图案上形成金属层；使用粘合剂将基片结合到金属层的与模子的相反侧的表面；从所述金属层分离所述模子；通过纳米孔形成处理形成多孔层，在所述多孔层中，通过将通过所述模子中的凹凸图案转印到所述金属层已经形成的凹凸图案用作纳米孔源来将多个纳米孔形成为在基本垂直于基片平面的方向上定向；以及将磁材料填入所述纳米孔中。
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公开(公告)号：CN103888000A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310594116.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H02M7/06 , H02M1/4225 , H02M3/1584 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 公开了一种电源装置，该电源装置包括：第一串联电路，连接在第一输出端子与第二输出端子之间并且包括第一开关元件和第一整流元件；第二串联电路，连接在第一输出端子与第二输出端子之间并且包括第二开关元件和第二整流元件；第三开关元件，插入在第一电感器和第一输入端子间的连接点与第二输出端子之间；第四开关元件，插入在第二电感器和第二输入端子间的连接点与第二输出端子之间；控制电路，配置成控制第一开关元件和第二开关元件；以及同步整流控制电路，配置成控制第三开关元件和第四开关元件。
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公开(公告)号：CN1696055A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410083147.8
申请日：2004-09-30
CPC classification number: G11B5/70605 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01F1/0081 , Y10S977/743 , Y10S977/744 , Y10T428/13 , Y10T428/268 , Y10T428/2918 , Y10T428/292 , Y10T428/294 , Y10T428/2975 , Y10T428/2991
Abstract: 一种碳纳米管复合材料，包括碳纳米管和覆盖在碳纳米管内表面的金属连续层。它是通过下述过程来制备的：形成金属基体层和处理金属基体层以在金属基体层中形成多个纳米孔而形成纳米孔结构，所述纳米孔在基本垂直于金属基体层的方向上延伸；在纳米孔内形成碳纳米管；和用金属连续层覆盖碳纳米管内表面。它具有控制良好的小尺寸，具有优良、均衡的物理特性，可以抵抗金属随时间的氧化，其化学稳定性高，具有良好的耐用性，可重复使用，具有良好的可涂覆性、对其他材料的高润湿性和可分散性，容易进行化学改性，易处理，可用于多个领域。
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公开(公告)号：CN1694163A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510059481.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
Abstract: 一种纳米孔结构，包括：金属矩阵；以及纳米孔，规则排列在该金属矩阵中，其中，所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔，以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质，包括：衬底；以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔，每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸，其中包含至少一种磁性材料，并且该多孔层为上述纳米孔结构。
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