公开(公告)号：CN1518090A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410003372.6

申请日：2004-01-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 桥本广司 ,  高田和彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法，该方法能够提高器件隔离膜的器件隔离能力，并能够有效地形成具有不同膜厚的栅绝缘膜。该方法可以用于制造具有嵌入逻辑元件的非易失性存储器的半导体器件。作为一个实施例，在硅衬底上形成衬底保护膜，然后在闪存单元区域中形成氧化膜，同时由衬底保护膜覆盖逻辑区域。接下来，在逻辑区域中，在逻辑区域的厚膜区域中形成中间氧化膜，同时由衬底保护膜覆盖逻辑区域的薄膜区域。接着，去除逻辑区域的薄膜区域中的衬底保护膜，并在其中形成氧化膜。同时，再次氧化已在厚膜区域中形成的氧化膜，这就在厚膜区域中形成了更厚的氧化膜。

公开(公告)号：CN1685524A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823026.7

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 桥本广司 ,  高田和彦

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种包含非易失性存储元件和外围电路的半导体器件及其制造方法，该外围电路包含具有绝缘栅极的场效应晶体管。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括高保持能力的存储元件和具有高驱动电流的绝缘栅极的场效应晶体管。半导体器件包括：具有第一和第二区域(AR1、AR2)的半导体基板(1)；在上述第一区域上形成的非易失性存储元件用的浮置栅极结构(4、5、6、7、8)；结合于上述浮置栅极结构而形成的控制栅极结构(14)；在上述第二区域上形成的逻辑电路用的绝缘栅电极(12、14)，上述浮置栅极结构具有比上述绝缘栅电极大的鸟嘴。

公开(公告)号：CN100429790C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN03823026.7

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 桥本广司 ,  高田和彦

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种包含非易失性存储元件和外围电路的半导体器件及其制造方法，该外围电路包含具有绝缘栅极的场效应晶体管。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括高保持能力的存储元件和具有高驱动电流的绝缘栅极的场效应晶体管。半导体器件包括：具有第一和第二区域(AR1、AR2)的半导体基板(1)；在上述第一区域上形成的非易失性存储元件用的浮置栅极结构(4、5、6、7、8)；结合于上述浮置栅极结构而形成的控制栅极结构(14)；在上述第二区域上形成的逻辑电路用的绝缘栅电极(12、14)，上述浮置栅极结构具有比上述绝缘栅电极大的鸟嘴。

公开(公告)号：CN1393937A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN02108311.8

申请日：2002-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高田和彦 ,  菅谷慎二

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/42336 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 在衬底上形成隧道绝缘膜和构成浮栅下部的第一半导体膜，腐蚀形成器件隔离凹槽，在凹槽中和第一半导体膜上形成器件隔离绝缘膜，从第一半导体膜的上表面去除器件隔离绝缘膜，减薄器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜，选择生长用作浮栅上部的第二半导体膜，并使其在器件隔离绝缘膜上横向延伸，在浮栅上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成用作控制栅的导电膜。

公开(公告)号：CN1189947C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02108311.8

申请日：2002-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高田和彦 ,  菅谷慎二

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/42336 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 在衬底上形成隧道绝缘膜和构成浮栅下部的第一半导体膜，腐蚀形成器件隔离凹槽，在凹槽中和第一半导体膜上形成器件隔离绝缘膜，从第一半导体膜的上表面去除器件隔离绝缘膜，减薄器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜，选择生长用作浮栅上部的第二半导体膜，并使其在器件隔离绝缘膜上横向延伸，在浮栅上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成用作控制栅的导电膜。