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公开(公告)号：CN1152368C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN98104028.4
申请日：1998-01-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/1871 , G11B5/3106 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/40 , Y10T29/49041 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 一个磁头包括：在晶片形成的一个下磁极、在下磁极上形成的一个非磁写入间隙层、在非磁写入间隙层上形成一个带有细前端磁极端部的上磁极，从磁极端部侧面的正下方，沿侧向形成并隔着宽度等于磁极宽度的区域相对着的两个凹陷部分，一个用以填充凹陷部分，并且覆盖上磁极和下磁极的非磁绝缘材料的保护层以及嵌入在非磁绝缘层(处于上磁极和下磁极之间)的相对部分之间的线圈。
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公开(公告)号：CN1197977A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98104028.4
申请日：1998-01-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/1871 , G11B5/3106 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/40 , Y10T29/49041 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 一个磁头包括:在晶片形成的一个下磁极、在下磁极上形成的一个非磁写入间隙层、在非磁写入间隙层上形成一个带有细前端磁极端部的上磁极,从磁极端部侧面的正下方,沿侧向形成并隔着宽度等于磁极宽度的区域相对着的两个凹陷部分,一个用以填充凹陷部分,并且覆盖上磁极和下磁极的非磁绝缘材料的保护层以及嵌入在非磁绝缘层(处于上磁极和下磁极之间)的相对部分之间的线圈。
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