公开(公告)号：CN101351880A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200580052447.2

申请日：2005-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 菅原弘纪 ,  永井孝一

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底(1)的上方，形成了铁电电容器之后，形成布线(24a)。形成将布线(24a)覆盖的阻挡膜(25)。形成氧化硅膜(26)，该氧化硅膜(26)填埋相邻布线(24a)之间的间隙。通过CMP法研磨氧化硅膜(26)，直到阻挡膜(25)的表面露出为止。在阻挡膜(25)及氧化硅膜(26)上形成阻挡膜(27)。形成作为阻挡膜(25、27)的氧化铝膜。