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公开(公告)号：CN1914714A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200480041311.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 基板处理装置由下述部分构成：处理容器，其通过排气系统排气，并具备保持被处理基板的基板保持台，并在内部区划出处理空间，由遮蔽板将上述处理空间分割为包括上述被处理基板的表面的第一处理空间部分和由上述处理空间的剩余区域构成的第二处理空间部分，在上述遮蔽板上形成有大于上述被处理基板的开口部；处理气体供给线路，其向上述处理容器中导入蚀刻气体；等离子体发生源，其在上述处理空间内形成等离子；高频源，其与上述基板保持台相结合。
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