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公开(公告)号:CN1525806A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN200410001999.8
申请日:2004-01-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4682 , H05K3/0058 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/085 , H05K2203/1536 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913
Abstract: 一种制造电路板的方法,其能够避免核心基片的形变,保证其尺寸和高密度的布线图案,从而实现紧凑和高性能的半导体器件。本发明的制造电路板的方法包括如下步骤:通过构建处理在一个核心基片上形成一个多层体,其中被一个绝缘层所绝缘的不同层上的布线图案被电连接;以及把该多层体与该核心基片相分离。一个金属层被真空附着在该半导体基片上。通过构建处理把该多层体形成在该金属层上,并且通过破坏在该核心基片与该金属层之间的真空状态,把该多层体与该金属层一同从该核心基片上分离。
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公开(公告)号:CN100353821C
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200410001999.8
申请日:2004-01-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H05K3/46
Abstract: 一种制造电路板的方法,其能够避免核心基片的形变,保证其尺寸和高密度的布线图案,从而实现紧凑和高性能的半导体器件。本发明的制造电路板的方法包括如下步骤:通过构建处理在一个核心基片上形成一个多层体,其中被一个绝缘层所绝缘的不同层上的布线图案被电连接;以及把该多层体与该核心基片相分离。一个金属层被真空附着在该半导体基片上。通过构建处理把该多层体形成在该金属层上,并且通过破坏在该核心基片与该金属层之间的真空状态,把该多层体与该金属层一同从该核心基片上分离。
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