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公开(公告)号：CN100373457C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN101046978A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610106008.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬叠层结构，包括依次层叠在该衬底上的第一磁层、第一非磁性耦合层、第二磁层；中间层，位于该软磁衬叠层结构上，并由非磁性材料形成；以及记录层，位于该中间层上，该记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该第一磁层和该第二磁层由多晶软磁材料形成，该第一磁层和该第二磁层的表面内均具有易磁化轴，并且该第一磁层的磁化与该第二磁层的磁化耦合且彼此反向平行。
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公开(公告)号：CN100527228C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610107996.1
申请日：2006-08-02
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬层，位于该衬底上；分离层，位于该软磁衬层上，并由非磁性材料形成；磁通控制层，位于该分离层上；以及记录层，位于该磁通控制层上，并具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该磁通控制层由多晶铁磁材料形成，该多晶铁磁材料具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。
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公开(公告)号：CN1212610C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02160839.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/265
Abstract: 一种垂直磁性记录介质包括基片、形成在该基片上的软磁性垫层、形成在该垫层上的具有垂直磁各向异性的磁性记录层、以及形成在该磁性记录层上具有铁磁性的泄漏磁场控制层。该泄漏磁场控制层被反铁磁性或铁磁性地交换耦合到该磁性记录层，从而抑制来自垫层和磁性记录层的泄漏磁场的影响，并且减小介质噪声。
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公开(公告)号：CN1689078A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1430208A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160839.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/265
Abstract: 一种垂直磁性记录介质包括基片、形成在该基片上的软磁性垫层、形成在该垫层上的具有垂直磁各向异性的磁性记录层、以及形成在该磁性记录层上具有铁磁性的泄漏磁场控制层。该泄漏磁场控制层被反铁磁性或铁磁性地交换耦合到该磁性记录层，从而抑制来自垫层和磁性记录层的泄漏磁场的影响，并且减小介质噪声。
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公开(公告)号：CN100545913C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610094037.0
申请日：2006-06-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66
Abstract: 一种垂直磁记录介质，包括：第一记录层(16)；第二记录层(20)，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(18)，其形成于第一记录层(16)与第二记录层(20)之间，并且包括形成于第一记录层(16)与非磁性层(18b)之间以及非磁性层(18b)与第二记录层(20)之间的铁磁层(18a、18c)。因此，可以提高垂直磁记录介质的再现输出。适当控制中间层的铁磁层和非磁性层的构造，从而还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
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公开(公告)号：CN101022013A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610094037.0
申请日：2006-06-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66
Abstract: 一种垂直磁记录介质，包括：第一记录层(16)；第二记录层(20)，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(18)，其形成于第一记录层(16)与第二记录层(20)之间，并且包括形成于第一记录层(16)与非磁性层(18b)之间以及非磁性层(18b)与第二记录层(20)之间的铁磁层(18a、18c)。因此，可以提高垂直磁记录介质的再现输出。适当控制中间层的铁磁层和非磁性层的构造，从而还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
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公开(公告)号：CN1741141A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510008091.4
申请日：2005-02-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁记录设备和磁记录方法。该磁记录介质包括：衬层12，该衬层包含第一磁性层12a和形成在第一磁性层12a之上的第二磁性层12c，该第二磁性层12c是铁磁性的并且在与第一磁性层12a相反的方向上被磁化，和第三磁性层12e，形成在第二磁性层12c之上并且在与第二磁性层12c相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层16，形成在衬层12之上，用于记录磁信息。在第一磁性层12a和第二磁性层12c之间以及在第二磁性层12c和第三磁性层12e之间各形成反铁磁性的交换互联通路。利用本发明，在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，而且能抑制介质噪声。
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公开(公告)号：CN100440324C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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