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公开(公告)号：CN101377929A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810212622.5
申请日：2008-08-25
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/725 , G11B5/8408
Abstract: 存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法。根据一个实施方式的一个方面，一种存储装置包括存储介质，该存储介质具有基板、存储信息的存储介质层、在该存储介质层的第一区域上的第一润滑层，以及在该存储介质层的第二区域上的第二润滑层，该第二润滑层的粘度低于第一润滑层。该存储装置还包括用于将信息写入存储介质层或从存储介质层读取信息的读写头。
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