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公开(公告)号：CN101874129A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880117820.1
申请日：2008-08-21
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H05K3/423 , C25D11/045 , C25D11/12 , C25D11/20 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/002 , H05K2201/0116 , H05K2201/10378 , H05K2203/0315 , H05K2203/1142 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种可以被用作各向异性的导电部件的微细结构体。还公开了制备这种微细结构体的方法。具体地公开了一种微细结构体，其由具有密度不低于10,000,000个微孔/mm2的贯通微孔的基底构成。在此微细结构体中，一些贯通微孔填充有不同于基底材料的物质。
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公开(公告)号：CN109415589A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780037324.4
申请日：2017-06-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09D183/04 , B32B9/00 , C08K3/36 , C08L33/06 , C09D133/00 , C09D133/02 , C09D175/04 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供一种膜形成用组合物以及层叠体的制造方法，该膜形成用组合物含有：以下述式(1)所表示的硅氧烷化合物的水解物、二氧化硅粒子、酮类溶剂以及水。式(1)中，R1、R2、R3以及R4分别独立地表示碳原子数1～6的1价有机基。n表示2～20的整数。
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公开(公告)号：CN102315194B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110176921.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D1/006 , C25D11/045 , C25D11/20 , C25D11/26 , C25D11/30 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/29298 , H01L2224/83101 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01R12/52 , H05K3/32 , H05K2201/10378 , H05K2203/0315 , Y10T428/249953 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种微细结构体和制备这种微细结构体的方法，所述微细结构体能够提供能减少布线缺陷的各向异性导电部件。所述微细结构体包括形成于绝缘基体中并被金属和绝缘物质填充的通孔。所述通孔具有1×106至1×1010个孔/mm2的密度，10nm至5000nm的平均开口直径，以及10μm至1000μm的平均深度。通孔由金属单独实现的封孔率为80％以上，并且通孔由金属和绝缘物质实现的封孔率为99％以上。所述绝缘物质是选自以下各项中的至少一种：氢氧化铝、二氧化硅、金属醇盐、氯化锂、氧化钛、氧化镁、氧化钽、氧化铌和氧化锆。
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公开(公告)号：CN101897083B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880119897.2
申请日：2008-12-01
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01R12/714 , Y10T29/49126 , Y10T29/4921 , Y10T428/24074 , Y10T428/24083 , Y10T428/24091 , Y10T428/24174 , Y10T428/24917 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种各向异性导电接合组件，其中各向异性导电膜被接合到至少一种导电材料上，所述至少一种材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、铟掺杂的氧化锡(ITO)、钼(Mo)、铁(Fe)、Pd(钯)、铍(Be)和铼(Re)。所述组件的特征在于：所述各向异性导电膜具有绝缘基底和导电通道，所述导电通道由导电构件构成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基底的厚度方向上延伸通过所述绝缘基底，导电通道的一端暴露于所述绝缘基底的一侧，并且另一端暴露于另一侧，所述导电通道的密度是3,000,000个/mm2以上，并且所述绝缘基底是具有微孔的铝基板的阳极氧化膜构成的结构体，并且每一个微孔沿着深度都没有分支结构。通过显著提高了导电通道的设置密度，即使结构体实现了更高的集成度，所述组件也可以被用作半导体器件等的电子部件的各向异性导电构件或用于检查的连接器。
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公开(公告)号：CN102016132A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114945.3
申请日：2009-04-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C25D11/04
CPC classification number: C25D11/045 , C25D11/024
Abstract: 本发明公开了具有100μm以上的厚度并且具有规则微孔的结构体。微结构体包括铝或铝合金氧化物膜，铝或铝合金氧化物膜具有从微结构体的底表面延伸至顶表面的圆柱形微孔。所述微孔排列在底表面上以具有至少70％的如通式(1)定义的有序化度，相邻微孔之间的中心到中心的距离为300至600nm并且微孔的轴向长度为至少100μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101971037A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108815.9
申请日：2009-03-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G01R1/0735 , G01R3/00 , G01R31/2863 , H01R12/7076 , H01R12/7082 , H01R13/2414
Abstract: 本发明的目的是提供一种探针卡，所述探针卡即使在老化测试中暴露于高温后，也具有在测试用电极和被测试电极之间的连接的良好稳定性，并且即使在重复使用探针卡后，也对于在测试用电极和导电部之间或在导电部和探针或被测试电极之间的接触位置的偏移较不敏感。本发明的探针卡是包括测试用电路板和各向异性导电构件的探针卡，测试用电路板具有形成的测试用电极以对应于被测试电极，各向异性导电构件电连接被测试电极与测试用电极。使测试用电极形成为使得至少该测试用电极的端部从测试用电路板的表面突出，并且各向异性导电构件是具有绝缘基底和多个由导电材料制成的导电通路的构件，绝缘基底由其中具有微孔的阳极氧化铝膜制成，多个导电通路彼此绝缘，并且在绝缘基底的厚度方向延伸贯穿绝缘基底。
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公开(公告)号：CN109415589B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201780037324.4
申请日：2017-06-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09D183/04 , B32B9/00 , C08K3/36 , C08L33/06 , C09D133/00 , C09D133/02 , C09D175/04 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供一种膜形成用组合物以及层叠体的制造方法，该膜形成用组合物含有：以下述式(1)所表示的硅氧烷化合物的水解物、二氧化硅粒子、酮类溶剂以及水。式(1)中，R1、R2、R3以及R4分别独立地表示碳原子数1～6的1价有机基。n表示2～20的整数。
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公开(公告)号：CN109937141A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780068151.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B32B27/00 , C09D7/40 , C09D183/04
Abstract: 本发明提供一种层叠体，该层叠体具有基材和设置于上述基材上的至少一部分上的防雾层，上述防雾层含有硅氧烷粘合剂、二氧化硅粒子及吸水性有机高分子，上述防雾层具有上述二氧化硅粒子沉积而成的结构，且在防雾层表面具有由上述二氧化硅粒子产生的凹凸结构，且在防雾层内部具有空隙，上述防雾层的膜密度为0.80g/cm3以上且1.40g/cm3以下，上述防雾层的膜厚超过1μm且10μm以下。
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公开(公告)号：CN102318141B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080007930.X
申请日：2010-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01R13/2435 , H01B1/023 , H01R12/7082
Abstract: 本发明提供一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度，并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时，也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器，并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括：绝缘基材和多个导电通路，所述导电通路由导电材料制成，彼此绝缘，并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材，所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出，所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成，并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。
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公开(公告)号：CN103635611A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280033029.9
申请日：2012-07-02
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: F21V7/22 , C25D5/022 , C25D11/005 , C25D11/08 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/20 , F21K9/64 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/1301 , H01L2924/181 , H05K1/0274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种绝缘反射基板，所述绝缘反射基板能够提供具有优异的绝缘性和优异的扩散反射率的发光元件。本发明的绝缘反射基板(1)包括铝层(2)和设置在所述铝层(2)的表面上的氧化铝层(3)。所述的氧化铝层(3)具有80μm至300μm的厚度(包括端点)，并且所述氧化铝层(3)在所述氧化铝层的表面中具有各自具有开口的大凹坑(4)。所述大凹坑(4)具有大于1μm但30μm以下的平均开口直径和80μm以上但小于所述氧化铝层(3)的厚度的平均深度。两个大凹坑(4)之间的平均距离是10μm以上但小于所述氧化铝层(3)的厚度。所述大凹坑(4)的开口的总面积与所述氧化铝层(3)的表面积的比率为10％至40％(包括端点)。每个大凹坑(4)具有小凹坑(5)，所述小凹坑在所述大凹坑(4)的内表面中各自具有开口，并且所述小凹坑(5)具有5-1,000nm的平均开口直径。
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