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公开(公告)号：CN103503081A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020112.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H05K1/02 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H01B1/22 , H01L21/02 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/1888 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种导电性构件，其包括基材、及设置于上述基材上的导电性层，上述导电性层包含金属纳米线与溶胶凝胶硬化物，上述金属纳米线含有金属元素（a）且平均短轴长度为150nm以下，上述溶胶凝胶硬化物是将选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素（b）的烷氧化合物水解及聚缩合而获得，且上述导电性层中所含有的上述元素（b）的物质量相对于上述导电性层中所含有的上述金属元素（a）的物质量的比处于0.10/1～22/1的范围内。
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公开(公告)号：CN103597550B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201280020088.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H05K1/092 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/186 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种导电性构件、导电性构件的制造方法、组成物、触摸屏及太阳电池。一种导电性构件，其包括：基材；以及设置于所述基材上的导电性层；所述导电性层含有（i）平均短轴长度为150nm以下的金属纳米线、及（ii）粘合剂，且所述粘合剂包含三维交联结构，该三维交联结构含有以下述通式（Ia）所表示的部分结构、及以下述通式（IIa）或通式（IIb）所表示的部分结构。式中，M1及M2分别独立地表示选自由Si、Ti及Zr所组成的组群中的元素，R3分别独立地表示氢原子或烃基。
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公开(公告)号：CN103597550A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280020088.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H05K1/092 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/186 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 一种导电性构件，其包括：基材；以及设置于所述基材上的导电性层；所述导电性层含有（i）平均短轴长度为150nm以下的金属纳米线、及（ii）粘合剂，且所述粘合剂包含三维交联结构，该三维交联结构含有以下述通式（Ia）所表示的部分结构、及以下述通式（IIa）或通式（IIb）所表示的部分结构。式中，M1及M2分别独立地表示选自由Si、Ti及Zr所组成的组群中的元素，R3分别独立地表示氢原子或烃基。
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公开(公告)号：CN103503081B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280020112.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H05K1/02 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H01B1/22 , H01L21/02 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/1888 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种导电性构件，其包括基材、及设置于上述基材上的导电性层，上述导电性层包含金属纳米线与溶胶凝胶硬化物，上述金属纳米线含有金属元素（a）且平均短轴长度为150nm以下，上述溶胶凝胶硬化物是将选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素（b）的烷氧化合物水解及聚缩合而获得，且上述导电性层中所含有的上述元素（b）的物质量相对于上述导电性层中所含有的上述金属元素（a）的物质量的比处于0.10/1～22/1的范围内。
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