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公开(公告)号:CN114175294A
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN202080044168.6
申请日:2020-06-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L27/30 , H01L51/46 , C07D517/14 , C07D513/22 , C07D495/22 , C07D495/14 , C07D493/14
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件,其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下,也显示稳定的性能。并且,提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜(11)、光电转换膜(12)及透明导电性膜(15),其中,光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料。
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公开(公告)号:CN117836261A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280057039.X
申请日:2022-08-30
Applicant: 富士胶片株式会社 , 富士胶片和光纯药株式会社
Abstract: 一种卤代双环[1.1.1]戊烷的制造方法,其包括:工序(a),在包含碳原子数5以上的非环状醚的溶剂中,使1,1‑二溴‑2,2‑双(氯甲基)环丙烷与有机金属试剂进行反应而得到[1.1.1]螺桨烷;及工序(b),使所得到的[1.1.1]螺桨烷与卤素在屏蔽了波长400nm以下的光的状态下进行反应而得到卤代双环[1.1.1]戊烷。
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公开(公告)号:CN112400240B
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN201980046416.8
申请日:2019-07-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10K85/60 , H10K30/60 , H10K39/32 , H10K30/30 , C07D471/14 , C07D487/04
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。并且,提供一种包含上述光电转换元件的成像元件及光传感器。并且,提供一种应用于上述光电转换元件的化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。式(1)中,Y1表示式(1‑1)所表示的基团或式(1‑2)所表示的基团。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN111868951B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN201980020313.4
申请日:2019-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10K30/00 , C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/96 , C07D401/06 , C07D403/06 , C07D417/06 , H10F39/12
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物,该光电转换元件具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜且光电转换效率优异。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN111868951A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201980020313.4
申请日:2019-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/96 , C07D401/06 , C07D403/06 , C07D417/06 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物,该光电转换元件具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜且光电转换效率优异。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。
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公开(公告)号:CN117836263A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280057119.5
申请日:2022-08-30
Applicant: 富士胶片株式会社 , 富士胶片和光纯药株式会社
IPC: C07C45/68 , C07C49/323
Abstract: 一种1,3‑二取代双环[1.1.1]戊烷的制造方法,其包括如下步骤:在包含碳原子数5以上的非环状醚溶剂的溶剂中使[1.1.1]螺桨烷与1,2‑二酮化合物进行光反应而得到1,3‑二取代双环[1.1.1]戊烷时,使环状醚化合物在反应液中共存。
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公开(公告)号:CN112400240A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN201980046416.8
申请日:2019-07-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , C07D471/14 , C07D487/04 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。并且,提供一种包含上述光电转换元件的成像元件及光传感器。并且,提供一种应用于上述光电转换元件的化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。式(1)中,Y1表示式(1‑1)所表示的基团或式(1‑2)所表示的基团。
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