公开(公告)号：CN105008030B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201480012625.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 安居院绫子 ,  佐藤真隆 ,  小玉启祐 ,  井上和臣

IPC: B01D71/28 ,  B01D61/00 ,  B01D61/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/26 ,  C08F212/14 ,  C08F212/34

CPC classification number: B01D71/82 ,  B01D61/002 ,  B01D67/0011 ,  B01D69/02 ,  B01D2323/30 ,  B01D2325/14 ,  B01D2325/18 ,  B01D2325/26 ,  B01D2325/28 ,  B01D2325/30 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F12/34 ,  C08F126/02 ,  C08F212/14 ,  C08F212/34 ,  C09D125/18 ,  C09D139/00

Abstract: X2-及X3-分别独立地表示有机或无机阴离子。R5本发明提供一种高分子功能性膜及其制造 ～R10表示氢原子或特定的取代基。方法，所述高分子功能性膜通过使含有(A)以通式(HSM)表示的苯乙烯系单体、(B)以通式(CL)表示的交联剂及(C)以通式(PI-1)或(PI-2)表示的聚合引发剂的组合物进行聚合固化反应而成。R1表示卤原子或-N+(R2)(R3)(R4)(X1-)。n1表示1～10的整数。其中，R2～R4分别独立地表示特定的取代基。X1-表示有机或无机阴离子。L1表示亚烷(56)对比文件Toshikatsu Sata.Studies on，Permselectivity between ions with samesign through ion exchange membranes inelectrodialysis《.Bulletin of the societyof sea water science》.1998,第52卷(第3期),第125-137页.MARCO FARAJ等.New Anion ConductingMembranes Based on FunctionalizedStyrene–Butadiene–Styrene TriblockCopolymer for Fuel Cells Applications.《Journal of Polymer Science Part A:Polymer Chemistry》.2011,第49卷(第15期),第3437-3447页.

公开(公告)号：CN105008030A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480012625.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 安居院绫子 ,  佐藤真隆 ,  小玉启祐 ,  井上和臣

IPC: B01D71/28 ,  B01D61/00 ,  B01D61/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/26 ,  C08F212/14 ,  C08F212/34

CPC classification number: B01D71/82 ,  B01D61/002 ,  B01D67/0011 ,  B01D69/02 ,  B01D2323/30 ,  B01D2325/14 ,  B01D2325/18 ,  B01D2325/26 ,  B01D2325/28 ,  B01D2325/30 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F12/34 ,  C08F126/02 ,  C08F212/14 ,  C08F212/34 ,  C09D125/18 ,  C09D139/00

Abstract: 本发明提供一种高分子功能性膜及其制造方法，所述高分子功能性膜通过使含有(A)以通式(HSM)表示的苯乙烯系单体、(B)以通式(CL)表示的交联剂及(C)以通式(PI-1)或(PI-2)表示的聚合引发剂的组合物进行聚合固化反应而成。R1表示卤原子或-N+(R2)(R3)(R4)(X1-)。n1表示1～10的整数。其中，R2～R4分别独立地表示特定的取代基。X1-表示有机或无机阴离子。L1表示亚烷基或亚烯基。Ra、Rb、Rc及Rd分别独立地表示特定的取代基。n2及n4分别独立地表示1～10的整数。X2-及X3-分别独立地表示有机或无机阴离子。R5～R10表示氢原子或特定的取代基。

公开(公告)号：CN103998650B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201380004383.3

申请日：2013-01-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 安居院绫子 ,  塚本直树 ,  河野贵胤

IPC: C23C18/18 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/387 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  H05K3/022 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0209

Abstract: 本发明的目的是提供一种金属层的密接性优异、金属层表面的净化性也优异的积层体的制造方法、一种积层体、一种印刷配线基板、以及一种底层形成用组合物。本发明的积层体的制造方法包括：底层形成步骤，形成包含具有可氢化的共轭二烯化合物单元的聚合物、以及平均粒径为400nm以下的金属氧化物粒子；催化剂提供步骤，使包含镀敷催化剂或其前驱物且为碱性的镀敷催化剂液与底层接触，而在底层上提供镀敷催化剂或其前驱物；以及镀敷步骤，对提供了镀敷催化剂或其前驱物的底层进行镀敷，而在底层上形成金属层。

公开(公告)号：CN103998650A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201380004383.3

申请日：2013-01-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 安居院绫子 ,  塚本直树 ,  河野贵胤

IPC: C23C18/18 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/387 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/30 ,  H05K3/022 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0209

Abstract: 本发明的目的是提供一种金属层的密接性优异、金属层表面的净化性也优异的积层体的制造方法。本发明的积层体的制造方法包括：底层形成步骤，形成包含具有可氢化的共轭二烯化合物单元的聚合物、以及平均粒径为400nm以下的金属氧化物粒子；催化剂提供步骤，使包含镀敷催化剂或其前驱物且为碱性的镀敷催化剂液与底层接触，而在底层上提供镀敷催化剂或其前驱物；以及镀敷步骤，对提供了镀敷催化剂或其前驱物的底层进行镀敷，而在底层上形成金属层。