公开(公告)号：CN105940498A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580006779.0

申请日：2015-03-11

Applicant: 富士电机株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 须原纪之 ,  堤岳志 ,  巻渕阳一 ,  荒岡干 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置具有：n+型碳化硅基板(1)；n型碳化硅外延层(2)；p+型基区(3)，其选择性地形成于n型碳化硅外延层(2)的表面层；n+型源区(6)，其选择性地生成于p+型基区(3)内；TiN膜(11)和Ni膜(12)，其作为电连接到n+型源区(6)而形成的源电极；栅绝缘膜(8)，其形成于p+型基区(3)的被n型碳化硅外延层(2)与n+型源区(6)所夹的部分的表面上；栅电极(9)，其形成于栅绝缘膜(8)上；漏电极，其形成于n+型碳化硅基板(1)的背面侧；以及半导体装置用的金属配线，其与作为源电极的TiN膜(11)和Ni膜(12)连接，以铝作为材料而形成，并在该形成后通过低温氮退火形成，即使在高温下对栅极施加负电压，也能够抑制阈值电压的降低。

公开(公告)号：CN105940498B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201580006779.0

申请日：2015-03-11

Applicant: 富士电机株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 须原纪之 ,  堤岳志 ,  巻渕阳一 ,  荒岡干 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置具有：n+型碳化硅基板(1)；n型碳化硅外延层(2)；p+型基区(3)，其选择性地形成于n型碳化硅外延层(2)的表面层；n+型源区(6)，其选择性地生成于p+型基区(3)内；TiN膜(11)和Ni膜(12)，其作为电连接到n+型源区(6)而形成的源电极；栅绝缘膜(8)，其形成于p+型基区(3)的被n型碳化硅外延层(2)与n+型源区(6)所夹的部分的表面上；栅电极(9)，其形成于栅绝缘膜(8)上；漏电极，其形成于n+型碳化硅基板(1)的背面侧；以及半导体装置用的金属配线，其与作为源电极的TiN膜(11)和Ni膜(12)连接，以铝作为材料而形成，并在该形成后通过低温氮退火形成，即使在高温下对栅极施加负电压，也能够抑制阈值电压的降低。