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公开(公告)号：CN102985486A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180034396.6
申请日：2011-09-29
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: C08K3/36 , C08G59/32 , C08K3/01 , C08K3/013 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K2201/003 , C08L63/00 , H01L21/561 , H01L23/291 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L24/73 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , Y02E10/50 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种树脂组合物，其用于得到展现出改善的耐热性和较高玻璃转化温度的固化的树脂材料。本发明的树脂组合物包含：树脂和平均颗粒直径小于或等于1000nm的无机填料，所述树脂选自a)热固性树脂和固化剂或者b)热塑性树脂。
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公开(公告)号：CN105190872B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480013059.2
申请日：2014-07-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , H01L23/28 , H01L23/293 , H01L23/3135 , H01L24/01 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可靠性及耐久性较高的半导体装置，所述半导体装置与使用SiC、GaN元件的半导体装置相对应，即使半导体元件的动作温度是例如175℃以上的高温，密封树脂也不容易发生热氧化劣化，能防止裂纹的产生。半导体装置(100)包括用密封材料对包含半导体元件(6)、绝缘基板(4)以及印刷基板(9)的构件进行密封而形成的成形体，所述绝缘基板(4)与所述半导体元件的一个面相接合，所述印刷基板(9)用于连接与所述半导体元件的另一个面相接合的外部电路，所述密封材料包含：第一密封材料(13)，该第一密封材料(13)是包含环氧树脂主剂、固化剂及平均粒径为1～100nm的无机填充材料而构成的纳米复合树脂；以及第二密封材料(11)，该第二密封材料(11)由不包含无机填充材料的热固性树脂、热塑性树脂或两者的混合物构成。
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公开(公告)号：CN105190872A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013059.2
申请日：2014-07-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , H01L23/28 , H01L23/293 , H01L23/3135 , H01L24/01 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可靠性及耐久性较高的半导体装置，所述半导体装置与使用SiC、GaN元件的半导体装置相对应，即使半导体元件的动作温度是例如175℃以上的高温，密封树脂也不容易发生热氧化劣化，能防止裂纹的产生。半导体装置(100)包括用密封材料对包含半导体元件(6)、绝缘基板(4)以及印刷基板(9)的构件进行密封而形成的成形体，所述绝缘基板(4)与所述半导体元件的一个面相接合，所述印刷基板(9)用于连接与所述半导体元件的另一个面相接合的外部电路，所述密封材料包含：第一密封材料(13)，该第一密封材料(13)是包含环氧树脂主剂、固化剂及平均粒径为1～100nm的无机填充材料而构成的纳米复合树脂；以及第二密封材料(11)，该第二密封材料(11)由不包含无机填充材料的热固性树脂、热塑性树脂或两者的混合物构成。
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