公开(公告)号：CN108028282B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680050672.0

申请日：2016-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 岩谷将伸 ,  木下明将 ,  原田信介 ,  田中保宣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 在碳化硅半导体基体的第一主面侧形成沟槽(16)，在碳化硅半导体基体的第一主面侧堆积n型碳化硅外延生长层(2)，在n型碳化硅外延生长层的表面设有n型高浓度区域(5)。另外，在n型碳化硅外延生长层(2)的表面选择性地设置第一p型基区(3)和第二p+型基区(4)，第二p+型基区(4)形成在沟槽(16)的底部。另外，n型高浓度区域(5)的深度比第一p型基区(3)和第二p+型基区(4)的深度深。由此，能够以简单的方法缓和沟槽底部的栅绝缘膜的电场强度，确保有源部的耐电压的同时使导通电阻下降。

公开(公告)号：CN108352402B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201680050777.6

申请日：2016-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下明将 ,  原田信介 ,  田中保宣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 在碳化硅半导体基体的第一主面侧形成有沟槽(16)，第二导电型的第二基极区(4)配置在与沟槽(16)沿深度方向对置的位置，第二导电型的第二基极区(4)的漏电极(13)侧端部和第二导电型的第一基极区(3)的漏电极(13)侧端部到达比第一导电型的区域(5)的漏电极(13)侧端部更深的位置。由此，能够通过缓和沟槽底部的栅绝缘膜的电场强度，抑制活性部的耐电压来使耐压构造部的耐电压设计变得容易。另外，能够通过简单的方法形成这样的半导体装置。

公开(公告)号：CN108352402A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680050777.6

申请日：2016-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下明将 ,  原田信介 ,  田中保宣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 在碳化硅半导体基体的第一主面侧形成有沟槽(16)，第二导电型的第二基极区(4)配置在与沟槽(16)沿深度方向对置的位置，第二导电型的第二基极区(4)的漏电极(13)侧端部和第二导电型的第一基极区(3)的漏电极(13)侧端部到达比第一导电型的区域(5)的漏电极(13)侧端部更深的位置。由此，能够通过缓和沟槽底部的栅绝缘膜的电场强度，抑制活性部的耐电压来使耐压构造部的耐电压设计变得容易。另外，能够通过简单的方法形成这样的半导体装置。

公开(公告)号：CN108028282A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680050672.0

申请日：2016-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 岩谷将伸 ,  木下明将 ,  原田信介 ,  田中保宣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/046 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 在碳化硅半导体基体的第一主面侧形成沟槽(16)，在碳化硅半导体基体的第一主面侧堆积n型碳化硅外延生长层(2)，在n型碳化硅外延生长层的表面设有n型高浓度区域(5)。另外，在n型碳化硅外延生长层(2)的表面选择性地设置第一p型基区(3)和第二p+型基区(4)，第二p+型基区(4)形成在沟槽(16)的底部。另外，n型高浓度区域(5)的深度比第一p型基区(3)和第二p+型基区(4)的深度深。由此，能够以简单的方法缓和沟槽底部的栅绝缘膜的电场强度，确保有源部的耐电压的同时使导通电阻下降。