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公开(公告)号：CN116779609A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310086095.2
申请日：2023-02-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 半导体装置具备半导体基板，所述半导体基板具有晶体管部和二极管部并设置有多个沟槽部，晶体管部具有：第一导电型的发射区，其设置于半导体基板的正面；第二导电型的基区，其设置于半导体基板；以及第二导电型的接触区，其设置于半导体基板的正面且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度，二极管部具有第二导电型的阳极区，其设置于半导体基板的正面且掺杂浓度低于基区的掺杂浓度，晶体管部具有主区和第一边界区，所述主区与二极管部分离，并且在半导体基板的正面具有发射区和接触区，所述第一边界区设置于主区与二极管部之间，且在半导体基板的正面具有沿沟槽延伸方向交替地设置的发射区和基区。
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