公开(公告)号：CN118943090A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410188254.4

申请日：2024-02-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 增田晋一 ,  山本拓也

IPC: H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其降低热阻。半导体芯片(15b)在正面(15b5)具有发热点P1，散热基底板(30)在下表面(32)具有在侧视时与半导体芯片(15a)、(15b)的中间地点的正下方对应的散热点P0。此时，构成有从发热点P1到散热点P0的散热路径HP，基于相对于芯片宽度Lx的散热路径HP的热阻为最小的间隔来设定间隔d的下限值。如果将半导体芯片(15a)、(15b)隔开如此设定的间隔d而配置于绝缘电路基板(11)的正面，则热阻降低，半导体装置(对象装置(2))的散热性提高。

公开(公告)号：CN305188098S

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201830624274.7

申请日：2018-11-06

Applicant: 富士电机株式会社

Designer： 伊藤太一 ,  市川裕章 ,  挂布光泰 ,  山野彰生 ,  山本拓也

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体组件。
2．本外观设计产品的用途：本产品是安装有功率半导体元件的半导体组件。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。