公开(公告)号：CN101453203B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810182939.9

申请日：2008-12-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中森昭 ,  森贵浩 ,  山崎智幸

IPC: H03K17/16 ,  G05F3/24

CPC classification number: H03K17/168 ,  H03K17/163 ,  H03K2217/0036

Abstract: 本发明提供一种驱动电路，其无需在功率器件的栅极上连接电容器和电阻的串联电路，就能够降低损失和噪声，并能够提高驱动能力。在驱动电路中，设置有对IGBT(43)的栅极电压波形进行设定的斜率设定电路(13)，将斜率设定电路(13)的输出电压(V*)输入运算放大器(14)的同相输入端子，并将由电阻(15、16)分压的电压(Vgsf)输入运算放大器(14)的倒相输入端子，使得从运算放大器(14)输出与斜率设定电路(13)的输出电压(V*)和由电阻(15、16)分压的分压电压(Vgsf)的偏差成比例的输出电压(Vout)，并将其输入IGBT(43)的栅极端子。

公开(公告)号：CN101540321B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910138719.0

申请日：2009-02-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功 ,  山崎智幸 ,  小野泽勇一

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/36

Abstract: 主要半导体元件的表面结构和第一P阱24b位于N-漂移层23的主表面中。温度检测二极管22由位于第一P阱24b中的N阱25中的P+阳极区26以及位于P+阳极区26中的N+阴极区27构成，以使得温度检测二极管22通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25和P+阳极区26短路以阻止由寄生晶闸管引起的闩锁击穿。温度检测二极管22′位于N-漂移层23′的第一主表面中的第一P阱24b′中的N阱25′中。主要半导体元件位于N-漂移层23′中。温度检测二极管22′通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b′具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25′的一侧被具有比第一P阱24b′浓度高的P+高浓度区28′围绕，以使得横向npn晶体管的激活能够被抑制。结果，可以提供一种装备有主要半导体元件和温度检测元件的半导体器件，其中：温度检测元件的温度特性能够与主要半导体元件的元件状态无关而保持不变；能够获得高闩锁容限；以及获得高温度检测精度。