被测试半导体装置的测试方法

    公开(公告)号:CN115732349A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202210890501.6

    申请日:2022-07-27

    Abstract: 本发明提供一种被测试半导体装置的测试方法,其精度良好地对半导体装置进行测试。该测试方法是对被测试半导体装置的测试方法,其包括:导通步骤,向一个以上的被测试半导体装置输入控制信号,将被测试半导体装置控制为导通状态;以及评价步骤,对将导通状态的被测试半导体装置控制为关断状态时的被测试半导体装置进行观测,从而对被测试半导体装置进行评价,在导通步骤中,基于一个被测试半导体装置中的多个区域之间、或者多个被测试半导体装置之间的控制信号的延迟时间的偏差的大小,对将被测试半导体装置设为导通状态的时间的长度进行调整。

    测试设备及测试方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102313864A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110159126.X

    申请日:2011-06-01

    CPC classification number: G01R31/2881 G01R31/129 G01R31/16

    Abstract: 本发明提供一种测试设备及测试方法,用来实现高压测试,同时减小对全球环境造成的负担,又不会使测试设备或用于测试的设备复杂化。该测试设备包括:压力容器;安装台,该安装台设置在压力容器的内部空间中,并在安装台上安装有被测试设备;测试电极,该测试电极设置在压力容器的内部空间中,向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压;以及增压单元,该增压单元使得压力容器的内部空间中的气压升高,其中,在利用增压单元使压力容器的内部空间中的气压升高的状态下,从测试电极向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压,对被测试设备进行测试。

    测试设备及测试方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102313864B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201110159126.X

    申请日:2011-06-01

    CPC classification number: G01R31/2881 G01R31/129 G01R31/16

    Abstract: 本发明提供一种测试设备及测试方法,用来实现高压测试,同时减小对全球环境造成的负担,又不会使测试设备或用于测试的设备复杂化。该测试设备包括:压力容器;安装台,该安装台设置在压力容器的内部空间中,并在安装台上安装有被测试设备;测试电极,该测试电极设置在压力容器的内部空间中,向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压;以及增压单元,该增压单元使得压力容器的内部空间中的气压升高,其中,在利用增压单元使压力容器的内部空间中的气压升高的状态下,从测试电极向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压,对被测试设备进行测试。

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