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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109219880A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780034425.6
申请日：2017-11-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 在将半导体芯片与使从该半导体芯片产生的热冷却的冷却部进行电绝缘的基础上，高效地对半导体芯片进行冷却。提供一种半导体模块，具备：半导体芯片；冷却部，内部具有供制冷剂通过的制冷剂通过部；层叠基板，具有比冷却部更靠近半导体芯片的第一金属布线层、比半导体芯片更靠近冷却部的第二金属布线层和设置于第一金属布线层与第二金属布线层之间的绝缘体，冷却部具有：顶板，靠近层叠基板而设置；底板，与顶板对置而设置；多个突起部，设置在底板的与制冷剂通过部接触的面上，在制冷剂的从上游朝向下游的流动方向上相互分开，并在制冷剂通过部的与流动方向正交的宽度方向上各自连续地设置，多个突起部至少设置在与第二金属布线层的在流动方向上的一端重叠的位置和与半导体芯片重叠的位置。
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公开(公告)号：CN102947928B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180029607.7
申请日：2011-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7803 , H01L21/02664 , H01L21/22 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/761 , H01L21/823481 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L27/1207 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 垂直超结MOSFET(101)和横向MOSFET(102)集成在相同半导体基板上。通过n掩埋隔离层(15)和n扩散隔离层(16)将横向MOSFET(102)与垂直超结MOSFET(101)电隔离。横向MOSFET(102)由在n掩埋隔离层(15)和n扩散隔离层(16)界定的n半导体层(2)中形成的p阱区(17)、在p阱区(17)中形成的n源区(18)和n漏区(19)、以及覆盖p阱区(17)的被n源区(18)和n漏区(19)夹住的部分的栅电极(21)形成。由于n掩埋隔离层(15)与垂直超结MOSFET(101)的n层(3)同时形成，因此有可能降低成本。另外，有可能通过n掩埋隔离层(15)来抑制元件之间的寄生作用。
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公开(公告)号：CN102947928A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180029607.7
申请日：2011-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7803 , H01L21/02664 , H01L21/22 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/761 , H01L21/823481 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L27/1207 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 垂直超结MOSFET(101)和横向MOSFET(102)集成在相同半导体基板上。通过n掩埋隔离层(15)和n扩散隔离层(16)将横向MOSFET(102)与垂直超结MOSFET(101)电隔离。横向MOSFET(102)由在n掩埋隔离层(15)和n扩散隔离层(16)界定的n半导体层(2)中形成的p阱区(17)、在p阱区(17)中形成的n源区(18)和n漏区(19)、以及覆盖p阱区(17)的被n源区(18)和n漏区(19)夹住的部分的栅电极(21)形成。由于n掩埋隔离层(15)与垂直超结MOSFET(101)的n层(3)同时形成，因此有可能降低成本。另外，有可能通过n掩埋隔离层(15)来抑制元件之间的寄生作用。
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公开(公告)号：CN109219880B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780034425.6
申请日：2017-11-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 在将半导体芯片与使从该半导体芯片产生的热冷却的冷却部进行电绝缘的基础上，高效地对半导体芯片进行冷却。提供一种半导体模块，具备：半导体芯片；冷却部，内部具有供制冷剂通过的制冷剂通过部；层叠基板，具有比冷却部更靠近半导体芯片的第一金属布线层、比半导体芯片更靠近冷却部的第二金属布线层和设置于第一金属布线层与第二金属布线层之间的绝缘体，冷却部具有：顶板，靠近层叠基板而设置；底板，与顶板对置而设置；多个突起部，设置在底板的与制冷剂通过部接触的面上，在制冷剂的从上游朝向下游的流动方向上相互分开，并在制冷剂通过部的与流动方向正交的宽度方向上各自连续地设置，多个突起部至少设置在与第二金属布线层的在流动方向上的一端重叠的位置和与半导体芯片重叠的位置。
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公开(公告)号：CN101952955B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200880121334.7
申请日：2008-12-02
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC classification number: G05F1/462 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L29/0692 , H01L29/7835
Abstract: 其中集成了分压器电路的集成电路(100)包括第一电阻器(121)、第二电阻器(122)、控制部分(130)、开关(140)以及开关部分(150)。第一电阻器(121)和第二电阻器(122)形成电阻分压器元件，用于将提供给控制部分(130)的通过对交流电压整流而获得的电压或直流电压分压。开关(140)设置成与电阻分压器元件串联，并使流过电阻分压器元件的电流通过或截止。开关部分(150)切换开关(140)以在驱动控制部分(130)期间使电流通过，并在控制部分(130)待用期间使电流截止。
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