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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101299135B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810084814.2
申请日：2008-03-27
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/751 , G03G5/0507 , G03G5/0542 , G03G5/0564 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/1476 , G03G5/14773
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置。所述的电子照相感光体包括导电性支持体；光敏层；以及作为所述电子照相感光体的最外层的表面保护层，其中，所述的电子照相感光体满足以下的式(a)和式(b)：(a)3.6≤(A+B)/C×100≤6；(b)B≤0.3，其中A表示所述导电性支持体的十点平均表面粗糙度RZJIS94，单位为μm；B表示所述表面保护层的十点平均表面粗糙度RZJIS94，单位为μm；并且C表示所述表面保护层的反射率相对于所述导电性支持体的反射率的百分比值。
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公开(公告)号：CN100378579C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN02144308.4
申请日：2002-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明的电子照相感光体，其特征在于，在导电性基体和感光层之间，具备含有金属氧化物微粒子和粘合树脂，在28℃、85%RH外加106V/m的电场时的体积电阻是108～1013Ω·cm，在15℃，15%RH外加106V/m的电场时的体积电阻是在28℃、85%RH外加106V/m的电场时的体积电阻的500倍以下的中间层。
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公开(公告)号：CN1412624A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02144308.4
申请日：2002-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明的电子照相感光体，其特征在于，在导电性基体和感光层之间，具备含有金属氧化物微粒子和粘合树脂，在28℃、85％RH外加106V/m的电场时的体积电阻是108～1013Ω·cm，在15℃，15％RH外加106V/m的电场时的体积电阻是在28℃、85％RH外加106V/m的电场时的体积电阻的500倍以下的中间层。
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公开(公告)号：CN101846892A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910171068.5
申请日：2009-09-02
Applicant: 富士施乐株式会社
Inventor： 江角铁也
CPC classification number: G03G5/0539 , G03G5/0546 , G03G5/0603 , G03G5/14726 , G03G5/14734
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体、图像形成设备和处理盒。所述电子照相感光体包含导电性支持体和所述导电性支持体上的至少感光层，所述电子照相感光体包含与所述感光层相同或不同的表面层，所述表面层包含氟树脂颗粒和含氟代烷基的共聚物，所述含氟代烷基的共聚物包含由如下结构式A表示的重复单元，并且在所述表面层中季铵盐的含量为50ppm以下，其中，在结构式A中，l表示大于或等于1的正数；p表示0或大于或等于1的正数；t表示1～7的正数；R1表示氢原子或烷基；且Q表示-O-或-NH-。结构式A
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公开(公告)号：CN101299135A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810084814.2
申请日：2008-03-27
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G15/751 , G03G5/0507 , G03G5/0542 , G03G5/0564 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/1476 , G03G5/14773
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置。所述的电子照相感光体包括导电性支持体；光敏层；以及作为所述电子照相感光体的最外层的表面保护层，其中，所述的电子照相感光体满足以下的式(a)和式(b)：(a)3.6≤(A+B)/C×100≤6；(b)B≤0.3，其中A表示所述导电性支持体的十点平均表面粗糙度RZJIS94，单位为μm；B表示所述表面保护层的十点平均表面粗糙度RZJIS94，单位为μm；并且C表示所述表面保护层的反射率相对于所述导电性支持体的反射率的百分比值。
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