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公开(公告)号：CN107357144A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710007493.5
申请日：2017-01-05
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/043 , G03G5/14 , G03G5/142 , G03G15/75 , G03G5/0662 , G03G15/162
Abstract: 本发明涉及图像形成设备和图像形成方法。本发明的图像形成设备包括：电子照相感光体，其包括导电性基材、设置在导电性基材上、含有粘合剂树脂和金属氧化物颗粒且单位面积的静电电容为10pF/cm2至100pF/cm2的底涂层，和设置在底涂层上的感光层；静电潜像形成单元，其在电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像；显影单元，其储存包含色调剂的显影剂，并通过使用显影剂使电子照相感光体表面上形成的静电潜像显影形成色调剂图像，所述色调剂包含体积平均粒径为3.0μm至5.5μm的色调剂颗粒。
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公开(公告)号：CN101930187B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910253353.1
申请日：2009-12-07
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/144 , G03G5/0542 , G03G5/0564 , G03G5/0592 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/1476 , G03G5/14769
Abstract: 本发明提供了电子照相感光体、图像形成设备和处理盒，所述电子照相感光体依次包含导电性基体；中间层；感光层；和表面层，所述表面层包含两种以上电荷输送材料，所述电荷输送材料均包含反应性取代基并分别具有相互不同的电离电势，相对于所述表面层的总固体含量，所述电荷输送材料的量为90重量％以上，并且所述两种以上电荷输送材料中的每一种的含量比率X满足下式(1)。X(n)表示在所述两种以上电荷输送材料中具有第n高的电离电势的电荷输送材料的含量比率(重量％)；X(n-1)表示在所述两种以上电荷输送材料中具有第(n-1)高的电离电势的电荷输送材料的含量比率(重量％)；n是等于或大于2的整数并表示小于或等于所述表面层中所含电荷输送材料的数目的变量。X(n-1)≥X(n) 式(1)
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公开(公告)号：CN103324043A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210584254.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 富士施乐株式会社
Inventor： 中村博史
CPC classification number: G03G5/0609 , G03G5/142 , G03G5/144 , G03G15/75
Abstract: 本发明提供了电子照相感光体、处理盒和图像形成设备，所述电子照相感光体包含导电性基板；设置在导电性基板上并且包含粘合剂树脂和金属氧化物颗粒的底涂层，所述金属氧化物颗粒的表面被至少两种作为具有给电子基团的第一偶联剂和具有受电子基团的第二偶联剂的偶联剂处理；和设置在底涂层上的感光层。
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公开(公告)号：CN101930187A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910253353.1
申请日：2009-12-07
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/144 , G03G5/0542 , G03G5/0564 , G03G5/0592 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/1476 , G03G5/14769
Abstract: 本发明提供了电子照相感光体、图像形成设备和处理盒，所述电子照相感光体依次包含导电性基体；中间层；感光层；和表面层，所述表面层包含两种以上电荷输送材料，所述电荷输送材料均包含反应性取代基并分别具有相互不同的电离电势，相对于所述表面层的总固体含量，所述电荷输送材料的量为90重量％以上，并且所述两种以上电荷输送材料中的每一种的含量比率X满足下式(1)。X(n)表示在所述两种以上电荷输送材料中具有第n高的电离电势的电荷输送材料的含量比率(重量％)；X(n-1)表示在所述两种以上电荷输送材料中具有第(n-1)高的电离电势的电荷输送材料的含量比率(重量％)；n是等于或大于2的整数并表示小于或等于所述表面层中所含电荷输送材料的数目的变量。X(n-1)≥X(n) 式(1)。
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公开(公告)号：CN100390670C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510055923.8
申请日：2005-03-18
CPC classification number: G03G15/5008 , G03G2215/00957 , G03G2215/0119
Abstract: 本发明提供一种成像设备，该成像设备包括电子照相感光体、充电单元、曝光单元、显影单元和转印单元，其中，在使电子照相感光体的圆周表面在预定方向上运动的同时，成像设备进行充电、曝光、显影和转印；所述成像设备还包括控制单元，所述控制单元控制所述电子照相感光体的圆周表面的运动速度，从而使从充电到显影的过程所需的时间可变；所述电子照相感光体包括底涂层和感光层；以及所述底涂层包括金属氧化物颗粒和受体化合物，所述受体化合物具有能与所述金属氧化物颗粒反应的基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722005A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510055740.6
申请日：2005-03-18
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子照相感光体，所述电子照相感光体在导电基板上至少包括底涂层和感光层，其中所述底涂层含有附着有电子受体化合物的金属氧化物微粒。
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公开(公告)号：CN103309180B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201210418184.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/0564 , G03G5/0539 , G03G5/0542 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/142 , G03G5/144 , G03G5/14708 , G03G5/14756 , G03G15/75 , G03G21/06
Abstract: 本发明提供了图像形成设备和处理盒，所述图像形成设备至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体、底涂层和感光层；充电装置，所述充电装置以接触充电的方式对电子照相感光体的表面充电，其中仅施加直流(DC)电压；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置将经充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；显影装置，所述显影装置通过显影剂使静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印装置，所述转印装置将色调剂图像由电子照相感光体直接转印到转印介质上；并且所述图像形成设备不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过转印装置将色调剂图像转印至转印介质上之后且在通过充电装置对电子照相感光体的表面充电之前对电子照相感光体的表面进行擦除。
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公开(公告)号：CN103309180A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210418184.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G03G5/0564 , G03G5/0539 , G03G5/0542 , G03G5/0614 , G03G5/0696 , G03G5/142 , G03G5/144 , G03G5/14708 , G03G5/14756 , G03G15/75 , G03G21/06
Abstract: 本发明提供了图像形成设备和处理盒，所述图像形成设备至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体、底涂层和感光层；充电装置，所述充电装置以接触充电的方式对电子照相感光体的表面充电，其中仅施加直流(DC)电压；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置将经充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；显影装置，所述显影装置通过显影剂使静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印装置，所述转印装置将色调剂图像由电子照相感光体直接转印到转印介质上；并且所述图像形成设备不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过转印装置将色调剂图像转印至转印介质上之后且在通过充电装置对电子照相感光体的表面充电之前对电子照相感光体的表面进行擦除。
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公开(公告)号：CN100378579C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN02144308.4
申请日：2002-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明的电子照相感光体，其特征在于，在导电性基体和感光层之间，具备含有金属氧化物微粒子和粘合树脂，在28℃、85%RH外加106V/m的电场时的体积电阻是108～1013Ω·cm，在15℃，15%RH外加106V/m的电场时的体积电阻是在28℃、85%RH外加106V/m的电场时的体积电阻的500倍以下的中间层。
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公开(公告)号：CN1412624A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02144308.4
申请日：2002-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明的电子照相感光体，其特征在于，在导电性基体和感光层之间，具备含有金属氧化物微粒子和粘合树脂，在28℃、85％RH外加106V/m的电场时的体积电阻是108～1013Ω·cm，在15℃，15％RH外加106V/m的电场时的体积电阻是在28℃、85％RH外加106V/m的电场时的体积电阻的500倍以下的中间层。
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