公开(公告)号：CN101093263B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710084794.4

申请日：2007-02-28

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 藤居彻 ,  铃木俊彦 ,  清水敬司 ,  谷田和敏 ,  大津茂实 ,  圷英一

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/13 ,  G02B6/138 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种光波导及其制造方法以及光通信模块。该光波导包括：下基板；波导芯，该波导芯形成在所述下基板上；包壳，该包壳被形成为包围所述波导芯的周边；以及上基板，该上基板与所述下基板相对，其中所述波导芯、所述下基板以及所述上基板包围沿所述波导芯延伸的空腔。

公开(公告)号：CN101093263A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710084794.4

申请日：2007-02-28

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 藤居彻 ,  铃木俊彦 ,  清水敬司 ,  谷田和敏 ,  大津茂实 ,  圷英一

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/13 ,  G02B6/138 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种光波导及其制造方法以及光通信模块。该光波导包括：下基板；波导芯，该波导芯形成在所述下基板上；包壳，该包壳被形成为包围所述波导芯的周边；以及上基板，该上基板与所述下基板相对，其中所述波导芯、所述下基板以及所述上基板包围沿所述波导芯延伸的空腔。

公开(公告)号：CN1380681A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105336.7

申请日：2002-02-25

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 大津茂実 ,  清水敬司 ,  谷田和敏 ,  圷英一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C23C14/083 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2022

Abstract: 一种在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法,采用低温及简单的步骤和装置,包含以下步骤:在真空或还原性气氛中,保持温度在不低于25℃和不高于300℃情况下,施加紫外线到基底材料上的非晶质半导体薄膜。一种在其基底材料上形成有结晶半导体薄膜的衬底。一种形成滤色器的衬底和一种使用上述衬底的滤色器。

公开(公告)号：CN1280009C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN03102079.8

申请日：2003-01-29

Applicant: 富士施乐株式会社 ,  株式会社东京大学TLO

Inventor： 大津茂実 ,  丸山达哉 ,  圷英一 ,  桥本和仁

IPC: B01J21/06 ,  B01J37/02

CPC classification number: C23C14/58 ,  A01N59/16 ,  C03C17/23 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/71 ,  C23C14/083 ,  A01N59/00 ,  A01N25/34 ,  A01N2300/00

Abstract: 一种具有包含氧化硅和氧化钛的表面层的氧化钛光催化剂薄膜的制造方法，其特征在于，它具有在形成氧化钛薄膜的衬底材料上，在含硅化合物的存在下，以及在真空或气体气氛中，一边加热衬底材料，一边在氧化钛薄膜上照射受激准分子光的工序。

公开(公告)号：CN1299135C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN03109377.9

申请日：2003-04-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 清水敬司 ,  大津茂实 ,  谷田和敏 ,  圷英一

IPC: G02B5/20 ,  C25D13/00 ,  C25D5/08

CPC classification number: B82Y20/00 ,  C09D5/44 ,  C09D5/448 ,  C25D1/12 ,  C25D1/22 ,  C25D5/08 ,  C25D5/54 ,  C25D13/00 ,  G02F1/065 ,  G02F2202/36

Abstract: 于薄膜的面内、膜厚方向，可容易保持机能性材料的连续浓度阶调的一种光学元件制作方法，及其使用的电沉积液与制造装置。关于使用含有机能性材料的电沉积液，利用光电沉积法或电沉积，于光学元件制作基板上制作光学元件的方法。含有于光学元件制作基板近旁，通过使电沉积液中的机能性材料的浓度变化，含于其中的机能性材料在薄膜厚方向与/或薄膜的面内方向，有浓度阶调的薄膜制作步骤的光学元件制作方法。设置有通过变化pH值，使对于水性溶液的溶解性与分散性降低、有疏水性基与亲水性基，疏水性基的数量为亲水性基与疏水性基总量的30%到80%的范围，含有形成薄膜的高分子材料与机能性材料的电沉积液，以及电沉积或光电沉积的薄膜形成装置，设置有为了使对光学元件制作基板形成电沉积液的流动的液流形成机构的光学元件制造装置。

公开(公告)号：CN1435276A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102079.8

申请日：2003-01-29

Applicant: 富士施乐株式会社 ,  株式会社先端科学技术孵化中心

Inventor： 大津茂実 ,  丸山达哉 ,  圷英一 ,  桥本和仁

IPC: B01J21/06 ,  B01J37/02

CPC classification number: C23C14/58 ,  A01N59/16 ,  C03C17/23 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/71 ,  C23C14/083 ,  A01N59/00 ,  A01N25/34 ,  A01N2300/00

Abstract: 一种氧化钛光催化剂薄膜，是表面层含有氧化硅和氧化钛层的氧化钛光催化剂薄膜。以及，一种具有包含氧化硅和氧化钛的表面层的氧化钛光催化剂薄膜的制造方法，其特征在于，它具有在形成氧化钛薄膜的衬底材料上，在含硅化合物的存在下，以及在真空或气体气氛中，一边加热衬底材料，一边在氧化钛薄膜上照射受激准分子光的工序。