公开(公告)号：CN101689521B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200880021489.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 兰迪·亚奇 ,  汤米·史蒂文斯

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC classification number: G01R31/31717 ,  G01R31/2853 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/318511 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种用于监视半导体制作过程的方法，其形成半导体芯片的晶片。每一芯片具有一个或一个以上二极管。每一二极管可作为阵列的部分寻址，对应于所述芯片的物理位置，且串联连接到堆叠。所述堆叠由一个或一个以上垂直互连件及金属触点组成。寻址所述二极管及相关联垂直互连件堆叠，且测量穿过阵列中的所述垂直互连件堆叠中的每一者的电流。

公开(公告)号：CN101689521A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021489.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： 兰迪·亚奇 ,  汤米·史蒂文斯

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC classification number: G01R31/31717 ,  G01R31/2853 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/318511 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种用于监视半导体制作过程的方法，其形成半导体芯片的晶片。每一芯片具有一个或一个以上二极管。每一二极管可作为阵列的部分寻址，对应于所述芯片的物理位置，且串联连接到堆叠。所述堆叠由一个或一个以上垂直互连件及金属触点组成。寻址所述二极管及相关联垂直互连件堆叠，且测量穿过阵列中的所述垂直互连件堆叠中的每一者的电流。