公开(公告)号：CN114854037B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210632863.5

申请日：2022-06-06

Applicant: 宿州学院

Inventor： 石智强 ,  左有鹏 ,  杜军 ,  张天任 ,  刘琳

IPC: C08G83/00 ,  C07F15/06

Abstract: 本发明公开了一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法。该配合物的化学式为[Co(C18H12S2N2)(C9H4O6)(H2O)2]n，为粉色晶体，是以5,5'‑二吡啶联二噻吩为主配体，1,2,4‑苯三甲酸为辅助配体，Co2+为金属离子，溶剂热条件下制备得到。实验结果表明：该钴(II)配合物在常温下具有半导体的性能。本发明制备方法简单，成本低，产率高，纯度高，重现性好，在半导体领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN114854037A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210632863.5

申请日：2022-06-06

Applicant: 宿州学院

Inventor： 石智强 ,  左有鹏 ,  杜军 ,  张天任 ,  刘琳

IPC: C08G83/00 ,  C07F15/06

Abstract: 本发明公开了一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法。该配合物的化学式为[Co(C18H12S2N2)(C9H4O6)(H2O)2]n，为粉色晶体，是以5,5'‑二吡啶联二噻吩为主配体，1,2,4‑苯三甲酸为辅助配体，Co2+为金属离子，溶剂热条件下制备得到。实验结果表明：该钴(II)配合物在常温下具有半导体的性能。本发明制备方法简单，成本低，产率高，纯度高，重现性好，在半导体领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN118122390A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311868905.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 宿州学院

Inventor： 杜军 ,  王聪 ,  石智强 ,  王晓晴 ,  耿涛

IPC: B01J31/24 ,  C07F15/04 ,  C07F9/572

Abstract: 本发明提供了一种2‑(二苯基膦)吡咯基配体支撑的金属配合物，所述金属配合物包括单核稀土金属配合物和稀土‑镍杂核金属配合物，杂核金属配合物中FSR