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公开(公告)号：CN117740907A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311740016.1
申请日：2023-12-15
Applicant: 宿州学院
IPC: G01N27/327 , G01N27/416
Abstract: 本发明提供了一种聚邻苯二胺/Ni(OH)2/ITO电极制备方法，包括以下步骤：(1)将预处理的氧化铟锡导电玻璃电极置于邻苯二胺和硫酸混合溶液中，构建三电极体系，采用循环伏安法进行电化学聚合，即得到聚邻苯二胺/ITO电极；(2)将聚邻苯二胺/ITO电极置于硫酸镍和硫酸钾混合溶液，构建三电极体系，通过恒电位沉积制备聚邻苯二胺/Ni(OH)2/ITO电极。本发明所制备的聚邻苯二胺/Ni(OH)2/ITO电极，首先通过电化学聚合得到聚邻苯二胺ITO电极，其中聚邻苯二胺含有丰富的氨基活性基团，为后续Ni(OH)2的沉积提供更多的附着位点，防止纳米颗粒的团聚。此外，聚邻苯二胺/Ni(OH)2纳米颗粒复合材料电极可催化肌醇的氧化还原反应，实现高灵敏定量检测肌醇。
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公开(公告)号：CN114854037A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210632863.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 宿州学院
Abstract: 本发明公开了一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法。该配合物的化学式为[Co(C18H12S2N2)(C9H4O6)(H2O)2]n，为粉色晶体，是以5,5'‑二吡啶联二噻吩为主配体，1,2,4‑苯三甲酸为辅助配体，Co2+为金属离子，溶剂热条件下制备得到。实验结果表明：该钴(II)配合物在常温下具有半导体的性能。本发明制备方法简单，成本低，产率高，纯度高，重现性好，在半导体领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN117491450A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311448890.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 宿州学院
IPC: G01N27/327 , G01N27/416 , C25B3/07 , C25B3/09 , C25D9/04
Abstract: 本发明公开了一种碳纸基非酶葡萄糖传感电极及其制备方法和应用，碳纸基非酶葡萄糖传感电极的制备方法包括以下步骤：将预处理的碳纸浸泡在邻硝基苯胺溶液中，进行电化学聚合，得到表面负载有聚邻硝基苯胺的聚邻硝基苯胺/碳纸电极；将聚邻硝基苯胺/碳纸电极置于Ni‑P电镀液中，进行恒电位沉积，得到聚邻硝基苯胺/Ni‑P/碳纸电极，即为碳纸基非酶葡萄糖传感电极；所述Ni‑P电镀液为硫酸镍、氯化镍、硼酸和磷酸二氢钠的混合溶液。通过本发明制备得到的聚邻硝基苯胺/Ni‑P/碳纸电极能够对葡萄糖进行无酶检测，其检测范围为1.00×10‑6～1.50×10‑3mol/L，检出限为8.00×10‑7mol/L。
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公开(公告)号：CN116120899A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211705406.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 宿州学院
Abstract: 本发明公开了一种多孔铜基复合相变储热材料及其制备方法，具体涉及储热、导热材料技术领域。该制备方法包括以下步骤：(1)制备铜盐混合压片；将铜粉分散至有机溶剂中，缓慢倒入氯化盐搅拌得到悬浮液，烘干、压片；(2)制备多孔铜导热框架：将压片煅烧、冷却、浸泡在纯水中，去除氯化盐模板，再真空干燥；(3)制备多孔铜基复合相变储热材料：将步骤(2)得到的多孔铜导热框架真空浸渍到液态相变材料中，捞出冷却至室温，即得。有益效果：本发明制备工艺简单，成本低廉，得到的多孔铜基复合相变材料表现出优异的储热性能，易于工业化大批量生产。
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公开(公告)号：CN114854037B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210632863.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 宿州学院
Abstract: 本发明公开了一种具有半导体性质的钴(II)配合物及制备方法。该配合物的化学式为[Co(C18H12S2N2)(C9H4O6)(H2O)2]n，为粉色晶体，是以5,5'‑二吡啶联二噻吩为主配体，1,2,4‑苯三甲酸为辅助配体，Co2+为金属离子，溶剂热条件下制备得到。实验结果表明：该钴(II)配合物在常温下具有半导体的性能。本发明制备方法简单，成本低，产率高，纯度高，重现性好，在半导体领域具有潜在的应用价值。
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