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公开(公告)号：CN1427749A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01808233.5
申请日：2001-04-17
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
IPC: B05D5/12
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C99/008 , B81C2201/0109 , B81C2201/0115 , B81C2203/0127 , C23C16/24 , C23C16/511
Abstract: 本发明使用大表面积体积比材料层用于分离、释放层和牺牲层材料应用。本发明概述了材料概念、应用设计、以及制造方法。使用柱形/孔隙网络材料作为大表面积体积比材料层的一个例子介绍了本发明。在介绍的多个具体应用，优选在母基片的叠层上形成结构，然后使用本发明分离方案的分离层材料法将该叠层与母基片分离。本发明具有极好的释放层应用。在多个应用中，本发明的方法可以用于独特地形成腔体、沟槽、空气隙、以及各种基片上或内的相关结构。此外，可以并且优选将叠层分离方案与形成腔体的方案结合。
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公开(公告)号：CN1160186C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3)，包含在连续空隙中的硅柱网络，可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙-柱形态可以用沉积条件控制，孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN1379712A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3),包含在连续空隙中的硅柱网络,可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙－柱形态可以用沉积条件控制,孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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