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公开(公告)号：CN115001481A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210606766.9
申请日：2022-05-31
Applicant: 安徽理工大学
IPC: H03K19/20 , H03K19/173 , G11C11/40
Abstract: 一种低开销容忍三节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器，属于集成电路技术领域，涉及，解决现有技术存在的面积开销高、稳定性差的问题；存储单元每个DICE单元的一个输出节点连接至公共节点，每个DICE单元的另一个输出节点连接至下一个DICE单元输入节点，构成了三个反馈互锁环路，实现了数据的存储和容忍三节点翻转且自恢复的能力，锁存器面积小，对高阻态不敏感，性能更稳定；采用时钟门控技术，避免了在透明期产生反馈互锁环路和电流竞争，降低锁存器在透明期功耗；在透明期输出节点直接由输入节点通过第七传输门驱动，降低了锁存器在透明期传输延迟；输出单元采用钟控反相器实现，从存储单元到输出单元经过的电路元器件的数量少，降低了锁存器延迟。
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公开(公告)号：CN114841097A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210452108.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 安徽理工大学
IPC: G06F30/30 , G06F30/27 , G06K9/62 , G06N20/00 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了基于关键门的电路路径级NBTI老化预测方法及装置，所述方法包括：构建训练集和测试集；利用训练集对线性回归模型进行训练，训练过程中模型的输入是关键子电路的第0年和第1年的老化延时数据，模型的输出是关键子电路的第2年至第N年的老化延时数据，N为大于2的正整数；训练完成后，利用测试集对训练好的线性回归模型进行验证，验证过程中模型的输入是关键路径的第0年和第1年的老化延时数据，模型的输出是关键路径的第2年至第N年的老化延时数据；测试完成后，将待预测的关键路径的第0年和第1年的老化延时数据输入到最终的线性回归模型，预测第2年至第N年的老化延时数据；本发明的优点在于：同时保障预测精度和速度。
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公开(公告)号：CN114841097B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210452108.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 安徽理工大学
IPC: G06F30/30 , G06F30/27 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06N3/09 , G06F18/27 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了基于关键门的电路路径级NBTI老化预测方法及装置，所述方法包括：构建训练集和测试集；利用训练集对线性回归模型进行训练，训练过程中模型的输入是关键子电路的第0年和第1年的老化延时数据，模型的输出是关键子电路的第2年至第N年的老化延时数据，N为大于2的正整数；训练完成后，利用测试集对训练好的线性回归模型进行验证，验证过程中模型的输入是关键路径的第0年和第1年的老化延时数据，模型的输出是关键路径的第2年至第N年的老化延时数据；测试完成后，将待预测的关键路径的第0年和第1年的老化延时数据输入到最终的线性回归模型，预测第2年至第N年的老化延时数据；本发明的优点在于：同时保障预测精度和速度。
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公开(公告)号：CN108717484A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810459783.8
申请日：2018-05-15
Applicant: 安徽理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种低切换随机输入波形缓解NBTI效应的方法及系统，涉及集成电路技术领域，通过占空比计算器计算占空比，并将占空比存入占空比存储器中，计算占空比的方法是利用基于关键路径与遗传算法求解得出，控制器通过控制地址计数器、占空比存储器获取相对应的占空比，将获取的占空比以及通过LFSR获取随机切换点都送入ALU，通过ALU计算获得随机波形并将随机波形送入LPCRW组合存储器中，读取LPCRW组合存储器中的纵向切片向量，依次均匀施加到功能电路的输入信号端。本发明优点在于：所提出的低切换随机输入波形最高能够节省38.55％的动态功耗并有效满足了对NBTI效应的缓解。
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公开(公告)号：CN115001481B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210606766.9
申请日：2022-05-31
Applicant: 安徽理工大学
IPC: H03K19/20 , H03K19/173 , G11C11/40
Abstract: 一种低开销容忍三节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器，属于集成电路技术领域，涉及，解决现有技术存在的面积开销高、稳定性差的问题；存储单元每个DICE单元的一个输出节点连接至公共节点，每个DICE单元的另一个输出节点连接至下一个DICE单元输入节点，构成了三个反馈互锁环路，实现了数据的存储和容忍三节点翻转且自恢复的能力，锁存器面积小，对高阻态不敏感，性能更稳定；采用时钟门控技术，避免了在透明期产生反馈互锁环路和电流竞争，降低锁存器在透明期功耗；在透明期输出节点直接由输入节点通过第七传输门驱动，降低了锁存器在透明期传输延迟；输出单元采用钟控反相器实现，从存储单元到输出单元经过的电路元器件的数量少，降低了锁存器延迟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113098449B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110347613.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 安徽理工大学
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 一种高鲁棒性的三节点翻转自恢复锁存器，属于集成电路技术领域，解决先有技术中的锁存器可靠性低、功耗高、延迟大的问题，本发明的锁存器设计，在可靠性方面对于TNU能够起到自恢复的作用，大大提高了锁存器的鲁棒性；锁存器从输入D到输出Q仅通过一个传输门，减少了锁存器在透明期所产生的延迟；在每一环路结构中添加两个钟控两输入C单元，在锁存器的透明期通过控制钟控两输入C单元的门控时钟，切断C单元的反馈操作，避免了当前电流的竞争，减少了锁存器结构在透明期所产生的功耗；与现有技术相比，本发明技术方案的锁存器不仅大大提高了可靠性，还能够极大的降低锁存器的功耗和延迟。
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公开(公告)号：CN109462392B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201811248781.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明公开了一种缓解电路老化的电路结构及其控制方法，包括或非门G4和与非门G7、G8、G9、G5以及G6，与非门G7的输出端分别与或非门G4的第二输入端以及与非门G9的第一输入端相连，与非门G8的输出端分别与与非门G9的第二输入端以及与非门G6的第二输入端相连，与非门G9的输出端分别与与非门G5的第二输入端以及与非门G6的第一输入端相连；一种缓解电路老化的电路结构的控制方法，首先为防护关键门G3，再防护关键门G5和G6，最后针对门替换方法不能防护的关键门使用输入向量控制方法进行防护；本发明不仅能解决现有缓解电路老化的方法存在的门替换方法破坏输入向量控制方法对电路的优化效果问题，还能提高输入向量控制方法对大型电路的老化缓解效果。
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公开(公告)号：CN113098449A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110347613.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 安徽理工大学
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 一种高鲁棒性的三节点翻转自恢复锁存器，属于集成电路技术领域，解决先有技术中的锁存器可靠性低、功耗高、延迟大的问题，本发明的锁存器设计，在可靠性方面对于TNU能够起到自恢复的作用，大大提高了锁存器的鲁棒性；锁存器从输入D到输出Q仅通过一个传输门，减少了锁存器在透明期所产生的延迟；在每一环路结构中添加两个钟控两输入C单元，在锁存器的透明期通过控制钟控两输入C单元的门控时钟，切断C单元的反馈操作，避免了当前电流的竞争，减少了锁存器结构在透明期所产生的功耗；与现有技术相比，本发明技术方案的锁存器不仅大大提高了可靠性，还能够极大的降低锁存器的功耗和延迟。
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公开(公告)号：CN108646170B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810459775.3
申请日：2018-05-15
Applicant: 安徽理工大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器，涉及集成电路技术领域，通过在POMS管M1输入复位信号PWD，对点X1、点X2、点Y1、点Y2进行充电，使得X1＝X2＝Y1＝Y2＝1；充电完成后，组合逻辑电路的输出信号Co进入延时电路的输出信号GB保护带时，进入检测部分，当组合逻辑电路未发生老化时，或非门输出低电平；当组合逻辑电路发生老化时，或非门输出高电平；当组合逻辑电路发生老化时注入软错误时仍能检测出组合逻辑电路发生老化，即或非门输出高电平。本发明优点在于：能够在组合逻辑电路发生老化时注入软错误还是组合逻辑电路未发生老化时注入软错误都能有效检测出正确的信号，并节省面积开销。
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公开(公告)号：CN109462392A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811248781.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明公开了一种缓解电路老化的电路结构及其控制方法，包括或非门G4和与非门G7、G8、G9、G5以及G6，与非门G7的输出端分别与或非门G4的第二输入端以及与非门G9的第一输入端相连，与非门G8的输出端分别与与非门G9的第二输入端以及与非门G6的第二输入端相连，与非门G9的输出端分别与与非门G5的第二输入端以及与非门G6的第一输入端相连；一种缓解电路老化的电路结构的控制方法，首先为防护关键门G3，再防护关键门G5和G6，最后针对门替换方法不能防护的关键门使用输入向量控制方法进行防护；本发明不仅能解决现有缓解电路老化的方法存在的门替换方法破坏输入向量控制方法对电路的优化效果问题，还能提高输入向量控制方法对大型电路的老化缓解效果。
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