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公开(公告)号：CN110004459A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910348894.6
申请日：2019-04-28
Applicant: 安徽大学
IPC: C25B3/04 , C25B1/00 , C25B11/06 , B01J27/047
Abstract: 本发明公开了一种驱动二氧化碳还原的异质结光阳极及其制备方法和应用，其是首先通过水热法合成WO3纳米片阵列，然后采用二次水热法在WO3纳米片表面生长Bi2S3纳米材料，从而获得用于驱动CO2还原的WO3/Bi2S3异质结光阳极。与原始的WO3光阳极相比，本发明所构建的WO3/Bi2S3异质结光阳极表现出更优异的光电化学性能和光电催化能力。
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公开(公告)号：CN108155029A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711472612.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种三元金属氧化物纳米结构超级电容器电极的制备方法，其是首先通过水热法制备MoO3，然后再通过其制得三元Zn3Mo2O9纳米圆环薄片材料，最后将Zn3Mo2O9作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得电极。本发明方法制备的Zn3Mo2O9电极比电容高达1184.6F g-1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报导的最高值；且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到71.3％，电容保持率较高。
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公开(公告)号：CN108155028A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711470090.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其是首先通过两步水热法合成不同尺寸大小的类花状MoS2纳米球，然后将其作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得高比电容的电极。本发明所得电极比电容可达到932F g-1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报道的最高值，且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到78％。
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公开(公告)号：CN111620371A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010498110.0
申请日：2020-06-04
Applicant: 安徽大学
IPC: C01G39/00 , B82Y40/00 , H01M4/48 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种用于钠电池的过渡金属氧化物正极材料及其制备方法，是以水热法合成的MoO3纳米棒为模板，制作Zn3Mo2O9纳米片正极材料。本发明所合成的Zn3Mo2O9纳米片用于作为钠电池正极材料，体现出较高的放电比容量和优异的循环性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155028B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201711470090.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其是首先通过两步水热法合成不同尺寸大小的类花状MoS2纳米球，然后将其作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得高比电容的电极。本发明所得电极比电容可达到932F g‑1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报道的最高值，且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到78％。
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公开(公告)号：CN108155029B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711472612.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 安徽大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种三元金属氧化物纳米结构超级电容器电极的制备方法，其是首先通过水热法制备MoO3，然后再通过其制得三元Zn3Mo2O9纳米圆环薄片材料，最后将Zn3Mo2O9作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得电极。本发明方法制备的Zn3Mo2O9电极比电容高达1184.6F g‑1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报导的最高值；且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到71.3％，电容保持率较高。
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公开(公告)号：CN111710867A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010606056.7
申请日：2020-06-29
Applicant: 安徽大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/48 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于锂离子电池的新型正极材料及其制备方法，该正极材料为N掺杂的α-MoO3纳米带，是以过量的钼箔和浓硝酸为原料，在充满氮气的反应釜中经一步水热反应，获得N掺杂α-MoO3纳米带，再经退火提高其结晶性能，即获得用于作为锂离子电池正极材料的α-MoO3纳米带。本发明的制备方法简单，所得N掺杂的α-MoO3纳米带具有较好的导电性，是作为锂离子电池正极材料的良好选择。
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公开(公告)号：CN111188024A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010092128.0
申请日：2020-02-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积制备具有光电响应的二硒化铌纳米片阵列的方法，是以五氧化二铌粉末和硒粉为原料，通过一步常压化学气相沉积在氧化硅衬底上生长出高质量的二硒化铌纳米片阵列。本发明具有生长简便、大面积、高效的特点，所制备的材料具有良好的紫外-可见光吸收性能和良好的稳定性，且光探测响应速度快。
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公开(公告)号：CN110026209A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910347759.X
申请日：2019-04-28
Applicant: 安徽大学
IPC: B01J27/047 , B01J35/00 , C25B3/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开了一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法，其特征在于：是利用氯化锑与硫代硫酸钠混合沉积法使氧化钨纳米片上生长硫化锑，然后经一次性退火即得到氧化钨/硫化锑异质结电极。本发明的方法具有简便、温和、高效的特点，所制备的氧化钨/硫化锑异质结电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性。
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