公开(公告)号：CN111620371B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202010498110.0

申请日：2020-06-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  项曙光 ,  胡鑫 ,  陈志成 ,  王宁 ,  周雪

IPC: C01G39/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/48 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明公开了一种用于钠电池的过渡金属氧化物正极材料及其制备方法，是以水热法合成的MoO3纳米棒为模板，制作Zn3Mo2O9纳米片正极材料。本发明所合成的Zn3Mo2O9纳米片用于作为钠电池正极材料，体现出较高的放电比容量和优异的循环性能。

公开(公告)号：CN111254461B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202010061276.6

申请日：2020-01-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  陈志成 ,  项曙光 ,  胡鑫 ,  周雪 ,  王宁

IPC: C25B11/091 ,  C25B3/26 ,  C25B3/07

Abstract: 本发明公开了一种光还原二氧化碳的氧化钨/碘氧铋异质结材料及其制备方法和应用，是利用硝酸铋与碘化钾构成的碘氧铋前驱液使氧化钨纳米板上生长碘氧铋，从而获得目标产物。本发明的异质结材料具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性，可用于光还原二氧化碳生产甲醇。

公开(公告)号：CN112588303B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202011322182.6

申请日：2020-11-23

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  周雪 ,  王宁 ,  项曙光 ,  胡鑫

IPC: B01J27/057 ,  B01J35/02

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋纳米片的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2O2Se纳米片的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2O2Se纳米片，然后通过合适的工艺方法将其与WO3纳米板构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2O2Se纳米片的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN114141951A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111439768.5

申请日：2021-11-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  夏超 ,  侯蕊 ,  黄辉 ,  王宁 ,  周雪 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  黄志祥

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法，是通过CsPbBr3单晶与MAPbBr3单晶所构成的异质结实现光的探测。本发明的光电探测器具有探测波段范围窄、选择性高的优势。

公开(公告)号：CN113130212A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110424858.0

申请日：2021-04-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  夏超 ,  胡鑫 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  周雪 ,  王宁

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化铌的水系非对称超级电容器，其是以二硒化铌纳米片作为正极活性材料。本发明所得水系非对称电容器具有优异的电化学性能，能量密度高、循环稳定性好、库伦效率高。

公开(公告)号：CN112820826A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110067435.8

申请日：2021-01-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  王宁 ,  周雪 ,  夏超 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  黄志祥

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件，其是在衬底上逐层设有MXene层、MoSe2层、PMMA层和MXene层。本发明的非易失性存储器件可重复性好、开关阈值低，具有较好的应用前景；且本发明的非易失性存储器件基于有机物PMMA与无机物MoSe2的协同而实现，制备方法简单、成本低，可实现工业化生产。

公开(公告)号：CN114695581A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN111710867A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010606056.7

申请日：2020-06-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  周雪 ,  王宁 ,  项曙光 ,  胡鑫 ,  陈志成 ,  李婉青

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种用于锂离子电池的新型正极材料及其制备方法，该正极材料为N掺杂的α-MoO3纳米带，是以过量的钼箔和浓硝酸为原料，在充满氮气的反应釜中经一步水热反应，获得N掺杂α-MoO3纳米带，再经退火提高其结晶性能，即获得用于作为锂离子电池正极材料的α-MoO3纳米带。本发明的制备方法简单，所得N掺杂的α-MoO3纳米带具有较好的导电性，是作为锂离子电池正极材料的良好选择。

公开(公告)号：CN111188024A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010092128.0

申请日：2020-02-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  胡鑫 ,  项曙光 ,  陈志成 ,  王宁 ,  周雪 ,  郭宏梅

IPC: C23C16/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积制备具有光电响应的二硒化铌纳米片阵列的方法，是以五氧化二铌粉末和硒粉为原料，通过一步常压化学气相沉积在氧化硅衬底上生长出高质量的二硒化铌纳米片阵列。本发明具有生长简便、大面积、高效的特点，所制备的材料具有良好的紫外-可见光吸收性能和良好的稳定性，且光探测响应速度快。

公开(公告)号：CN114695581B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。