公开(公告)号：CN103531232B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310520212.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  耿杨 ,  吴秀龙 ,  龚才 ,  李正平 ,  谭守标 ,  孟坚 ,  陈军宁

IPC: G11C15/04

Abstract: 本发明公开了一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元，该控制单元包括：反相器、PMOS管P0、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4与NMOS管N5；其中，所述PMOS管P0的漏极与所述NMOS管N3的漏极相连，且所述PMOS管P0的栅极与所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N3的栅极及所述NMOS管N4的漏极相连；所述NMOS管N2的栅极经由反相器与所述NMOS管N4的栅极以及所述NMOS管N5的栅极相连。通过采用本发明公开的控制单元，增强了匹配线稳定性和提高放电速度。

公开(公告)号：CN103531232A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310520212.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  耿杨 ,  吴秀龙 ,  龚才 ,  李正平 ,  谭守标 ,  孟坚 ,  陈军宁

IPC: G11C15/04

Abstract: 本发明公开了一种高性能混合型内容可寻址存储器控制单元，该控制单元包括：反相器、PMOS管P0、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4与NMOS管N5；其中，所述PMOS管P0的漏极与所述NMOS管N3的漏极相连，且所述PMOS管P0的栅极与所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N3的栅极及所述NMOS管N4的漏极相连；所述NMOS管N2的栅极经由反相器与所述NMOS管N4的栅极以及所述NMOS管N5的栅极相连。通过采用本发明公开的控制单元，增强了匹配线稳定性和提高放电速度。