公开(公告)号：CN119558253A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411701621.2

申请日：2024-11-26

Applicant: 安徽大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 牛凯坤 ,  张光欢 ,  黄志祥 ,  任信钢 ,  吴先良 ,  杨利霞

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种基于电磁热耦合的亚网格方法及系统，包括：将电磁算法领域的时域有限差分的亚网格算法，引入到多物理场中，基于仿真模型，划定亚网格区域；计算粗网格内的电场值，并更新网格交界面处的粗网格电场值；将粗网格电场值引入到亚网格中，并对亚网格中电磁场值进行更新计算；利用电磁损耗方程，作为热源，并对热场进行更新计算，并修正交界面处的粗网格热场值；根据相应的线性插值，将粗网格热场值联系到亚网格内；根据当前空间各点的当前温度，计算相应介质材料当前的电导率值，并更新到电磁场参数中；循环上述步骤，直至满足所设定的仿真时长，最终得到仿真结束时的电磁场分布以及热场分布，以及各点电磁场和温度场的瞬时变化。

公开(公告)号：CN117332658B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311373919.0

申请日：2023-10-23

Applicant: 安徽大学

Inventor： 谢国大 ,  侯桂林 ,  邓学松 ,  任信钢 ,  牛凯坤 ,  黄志祥

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/25 ,  G06F17/13 ,  G06F17/16 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及一种各向异性时变等离子体的电磁特性确定方法及系统。该方法包括：获取动态等离子体中电场信息、磁场信息和极化电流密度信息；根据所述电场信息、磁场信息和极化电流密度信息，建立矩阵形式的一阶微分方程；采用m级p阶显式辛积方法近似所述一阶微分方程，并对导出的指数算子进行泰勒技术展开，得到辛数值离散公式；对所述辛数值离散公式中包含时间积分项的指数矩阵系数项采用ME方法进行展开，同时对空间偏导数采用4阶差分方法进行离散处理，得到各向异性时变等离子体的电磁特性。本发明能够精确地得到各向异性时变等离子体的电磁特性。

公开(公告)号：CN108226834B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201810308792.7

申请日：2018-04-09

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴杰 ,  黄志祥 ,  牛凯坤 ,  方明 ,  许杰 ,  谢国大 ,  张永康 ,  张华永

IPC: G01R33/56 ,  G01R33/34 ,  A61B5/055

Abstract: 本发明涉及一种用于低场核磁共振成像仪器的磁信号增强器件及其制作方法，与现有技术相比解决了低场磁共振成像设备图像信噪比低、空间分辨率低的缺陷。本发明的人工电磁结构共振单元包括蚀刻在基板上表面的金属方形螺旋线，金属方形螺旋线的两个端部均设有金属化过孔且金属化过孔穿透基板，基板的下表面印刷有金属微带线，金属微带线连接两个金属化过孔，金属微带线上焊接有无磁性贴片电容。本发明将基板正面的金属方形螺旋线通过金属化过孔与基板背面加载无磁性贴片电容的微带连接组成的一个人工电磁结构共振单元，在低场磁共振拉莫尔进动频率具有负磁导率，利用该负磁导率，(56)对比文件籍勇亮;何为;吴高林;王谦;李龙;孟凯凯;徐征.单边核磁共振仪中射频线圈的优化.电工电能新技术.2015,(09),第75-80页.

公开(公告)号：CN116782492B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311068387.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  赵亚莉 ,  孙国星 ,  饶嘉宇 ,  王刚 ,  牛凯坤 ,  吴先良 ,  黄志祥 ,  李迎松

IPC: H05K1/02

Abstract: 本发明公开一种超宽带电磁带隙结构及电路板，涉及电磁带隙结构领域，结构包括阵列设置的多个电磁带隙单元；每个电磁带隙单元包括从上到下依次设置的电源平面、介质基板和接地平面；电源平面包括贴片、耦合互补分裂环谐振器和多个半改进Z型桥结构；贴片上嵌入耦合互补分裂环谐振器；贴片的每条边均设置半改进Z型桥结构；耦合互补分裂环谐振器设置在多个半改进Z型桥结构形成的环内；半改进Z型桥结构包括依次连接的第一横枝、第一竖枝、第二横枝和第二竖枝；第二竖枝与贴片连接；相邻电磁带隙单元的第一横枝相互连接。本发明能有效抑制同步开关噪声。

公开(公告)号：CN108959772B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201810720625.3

申请日：2018-07-02

Applicant: 安徽大学

Inventor： 程光尚 ,  黄志祥 ,  方明 ,  牛凯坤 ,  赵冉 ,  任信钢 ,  张华永

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/10

Abstract: 本发明涉及一种大规模有限周期阵列结构特征模式分析方法，与现有技术相比解决了特征模式分析方法无法适用于大规模有限周期阵列结构的缺陷。本发明包括以下步骤：大规模有限周期阵列结构的几何建模和剖分；对参考单元建立基于电场积分方程的特征值方程；整个大规模有限周期阵列结构特征模式的计算。本发明能显著减少周期阵列的矩阵特征方程的未知量数目，并大幅度减少所需的计算内存以及计算时间。

公开(公告)号：CN106356635A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610825190.X

申请日：2016-09-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 黄志祥 ,  汤家俊 ,  方明 ,  王丽华 ,  王安琪 ,  牛凯坤

IPC: H01Q15/00

CPC classification number: H01Q15/0086

Abstract: 本发明公开一种类十字锚型超材料微单元结构，属于电磁通信技术领域，包括介质基板、加载在介质基板上的金属微单元结构；所述金属微单元结构包括方形贴片本体、及开设在方形贴片本体上的若干孔槽，所述方形贴片本体为正方形，方形贴片本体上开有两个上圆槽和两个下圆槽，上圆槽与下圆槽间开有矩形槽。本发明结构简单，易于制作，在工作频段内具有良好的频率选择特性和对电磁波大角度入射的稳定性；通过加载不同数值大小的电感可以实现较大程度的频率可调特性，有利于实现结构的小型化，可以广泛运用于天线罩中和微带天线上实现增益的提高。

公开(公告)号：CN118630040A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202411104079.2

申请日：2024-08-13

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  吴博 ,  王丽华 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种耐压的GaN HEMT结构，涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层，因每部分势垒层组分不同，导致产生不同的应力，形成不同深度的量子阱，从而诱发相应的不同的极化效应，因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气，在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气，因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布，提升了漂移区平均电场强度，且降低泄漏电流，使得器件的耐压能力大大提高，输出性能也得到改善。

公开(公告)号：CN117236110B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311124149.6

申请日：2023-09-01

Applicant: 安徽大学

Inventor： 牛凯坤 ,  肖子静 ,  黄志祥 ,  任信钢 ,  李迎松 ,  杨利霞

IPC: G06F30/23 ,  G06F17/11 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了基于电热多物理场随机FDTD的电磁辐射强度评估方法，属于生物医学应用领域，包括如下步骤：采用人体组织材料皮肤、肌肉和脂肪构建人体分层模型，并将其划分为多个网格；将人体组织材料的电学特性参数均值输入并储存到对应材料的网格中，得到电学特性参数均值网格；计算电学特性参数均值网格内任一时刻的电磁场均值；将人体组织材料的电学特性参数的方差输入并储存到对应材料的网格中，计算电磁场方差；将人体组织材料的热学特性参数均值输入并储存到对应材料的网格中，计算热分析源；根据热传导方程计算热学特性参数均值网格内任一时刻的温度均值，并迭代计算温度方差；通过温度均值和温度方差判断电磁波辐射对人体温度的影响。

公开(公告)号：CN116705855B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310702671.1

申请日：2023-06-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  琚胡平 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。

公开(公告)号：CN117172204A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311433897.2

申请日：2023-11-01

Applicant: 安徽大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 牛凯坤 ,  张文凯 ,  任信钢 ,  黄志祥 ,  李迎松 ,  杨利霞 ,  吴先良

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/392

Abstract: 本发明公开了一种基于混合显隐式时域有限差分算法的电热耦合仿真方法，属于计算电磁学领域，包括以下步骤：构建系统级封装模型，并对所述封装模型进行预处理，获得仿真模型；基于HIE‑FDTD算法建立电磁场仿真算法，通过所述电磁场仿真算法对所述仿真模型进行电磁仿真计算，获得电磁场参数；基于所述电磁场参数，通过电磁能量损失到热源能量的转化公式计算得到发热功率；基于HIE‑FDTD算法建立热传导仿真算法，基于所述发热功率通过热传导仿真算法进行热仿真计算，获得热场参数；基于所述电磁场参数和热场参数获得电磁场和热场分布情况。本方法能够准确获得电磁场和热场分布情况。